Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Рис.2. Распределение концентрации атомов Cd, Te и S по глубине 
гетероструктуры CdTe/CdS. 
 
Распределение концентрации атомов Cd, Te и S по глубине 
гетероструктуры CdTe/CdS показано на рис.2. Нетрудно заметить также, что 
в CdTe(CdS) имеет место избыток атомов Te(Cd), придающий p(n)-тип 
проводимости. Кроме того, наблюдается проникновение атомов
S
в CdTe, и 
атомов Te в CdS
 
в глубину 

1 мкм. Этот результат позволяет сделать вывод о 
формировании промежуточного слоя на гетерогранице CdTe/CdS, 
состоящего из твердого раствора CdTe
1-x
S
x
 
методом NSOM (near-field 
scanning optical microscopy).
Одним из важных вопросов является исследование состава твердого 
раствора CdTe
1 -x
S
x
, описываемого параметром “x”.Проведено исследование 
спектрального распределения фоточувствительности при температурах 
Т=180 и 220 
о
С с помощью фотоэлектрического метода. Т=180 
о
С найдены 
два ярко выраженных пика при длинах волн 0.738 и 0.796 мкм. Предполагая, 
что каждый из этих пиков соответствуют разным твердым растворам CdTe
1-
x
S
x 
, отличающиеся параметром состава (х), в данной работе оценена

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
237 
Базируясь на работу [7] о квадратичной зависимости Е
g
твердого 
раствора CdTe
1-x
S
x
от состава х, найдено значение х, соответствующее 
Е
g

1.5578 эВ и 1.68 эВ, соответственно. Постоянное решетки найдено, 
используя соотношение Вегарда [7]. Результаты приведены в Таблице1.
Таблице 1. Из этих данных следует, что на гетерогранице между CdTe 
и CdS формируется четыре типа твердых растворов. Кроме того, можно 
заключить, что состав и параметры твердого раствора можно 
целенаправленно менять, регулируя температуру. Технологические способы 
целенаправленного изменения параметров промежуточного слоя из твердых 
растворов CdTe
1-x
S
x
является предметом дальнейших исследований.