Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
233 
2
2
2
0
0
0
0
2
1
ln
arctan
arctan
)
(
C
a
x
n
e
a
a
x
x
a
L
x
en
x



























После нахождения постоянной 
С
2
: (5) 
2
1
ln
2
2
0
0
2










a
L
en
C

(6) 
Находим:
2
1
ln
1
ln
arctan
arctan
)
(
2
2
2
2
0
0
0
0




































a
L
a
x
en
a
a
x
x
a
L
x
en
x



(7) 
и, далее, находим глубину проникновения электрического поля в 
полупроводник:
2
1
0
K
0
1
en
U)
(
2εε
exp
a
L


























(8) 
Из полученного выражения видно, что зависимость L = L(U) 
существенно отличается от таковой, рассчитанной для равномерного 
распределения примеси.
Рассматривая контакт металл – полупроводник в приближении 
плоского конденсатора: 
L
S
V
C
0
)
(


находим зависимость емкости диода 
Шоттки от величины прикладываемого напряжения, для различных значений 
параметра 
а
.

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
234 
Рис. 1. Определение зависимости емкости диода Шоттки от величины 
прикладываемого напряжения, для различных значений параметра 
а
. 
Из зависимостей, приведенных на рис. 1., видно, что расчетная вольт-
фарадная характеристика, в зависимости от параметра 
а
, сильно 
видоизменяется. Следовательно, при определении параметров диодов 
Шоттки (таких как: величина потенциального барьера, глубина 
проникновения электрического поля в полупроводник, величина заряда 
локализованного в слое полупроводника, в близи границы раздела металл – 
полупроводник) емкостными методами, целесообразно перед проведением 
измерений, установить соответствие между изучаемым образцом и 
используемой физической моделью. В частности, для получения достоверной 
информации о параметрах диода, целесообразно в начале установить наличие 
профиля распределения легирующей примеси.