Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ГЕТЕРОГРАНИЦЫ 
СТРУКТУРЫ
CdTe / CdS
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИМ МЕТОДОМ 
 
Утамурадова Шарифа Бекмурадовна*,
 
д.ф.-м.н. (DSc), профессор, 
директор НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУз, 
Ташкент, Узбекистан. е-mail: [e-mail] 
Музафарова Султанпаша Анваровна
, старший научный сотрудик, 
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУз, Ташкент, 
Узбекистан. e-mail: [e-mail] 
Кенжаева Зарифа Суюновна
Старший преподователь ТГТУ кафедра 
МСТРС ,Ташкент, Узбекистан.e-mail: [e-mail]
 
Рамазонов Анвар Улуғбек ўғли , 
магистрант НИИ физики 
полупроводников и микроэлектроники при НУУз, Ташкент, Узбекистан
. 
В связи с простотой и дешевизной технологии создание и исследование 
приборных структур на основе поликристаллических пленок CdTe и CdS 
является актуальной задачей [1-3]. Гетеропереходы CdTe / CdS широко 
используются в производстве фотоэлектрических и оптоэлектронных 
устройств, таких как солнечные элементы, фотодетекторы, фототранзисторы 
[4-6] и других устройствах. Несмотря на многолетние исследования, многие 
проблемы все еще остаются открытыми. В этой серии можно отметить 
неопределенность состава гетерограницы между CdTe и CdS. Решение этой 
проблемы расширит линейку устройств и повысит функциональность 
существующих устройств на гетеропереходах CdTe / CdS. В данной работе 
исследуется 
спектральное 
распределение 
фоточувствительности 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
235 
гетеропереходов CdTe / CdS и обсуждается вопрос о составе твердых 
растворов на гетерогранице.
 
Гетеропереходы CdTe / CdS площадью 1 см
2
были изготовлены на 
молибденовой подложке по технологии, описанной в [4, 5]. Передний 
контакт выполнен из чистого индия (In), подаваемого в вакууме при 
давлении 10
-5
Торр. При этом ширина контактной полоски составляет 0,8 мм, 
а расстояние между полосками - 2 мм. Задний контакт выполнен из 
молибденовой Мо фольги.
На гетерогранице CdTe/CdS
 
формируется высокоомный переходный 
i
-
слой, и приводятся результаты систематических исследований по выявлению 
роли этого слоя в фотоэлектрических свойствах гетероструктуры. 
Изготовлены гетеропереходы CdTe/CdS площадью 1 см
2 
обладают 
следующей структурой строения (рис.1).