Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
232 
емкостными методах принимается, что легирующая примесь распределена 
равномерно по толщине полупроводниковой подложки. Однако на практике 
часто встречается и не равномерное распределении примеси, что может 
внести существенную погрешность в определяемые экспериментально 
величины.
В этой работе рассматривается вольт-фарадная зависимость барьера 
Шоттки в случае, когда концентрация в полупроводнике изменяется по 
закону 
n(x) = n
0 
/ x
2
 + a
, где, 
n
0
– концентрация примеси в полупроводнике на 
границе раздела с металлом, 
а
– 
const
, 
х
– координата отсчитываемая от 
границы раздела металл – полупроводник в глубь полупроводника.
Используя уравнение Пуассона и зависимость плотности объемного 
заряда от 
x
, получаем: 
2
2
0
0
2
2
1
a
x
en
dx
d






(1) 
После интегрирования (1) по координате имеем:
1
0
0
arctan
C
a
a
x
en
dx
d










(2) 
Для нахождения постоянной 
С
1
в уравнении (2) воспользуемся 
следующими граничными условиями:
0
0
dx
d
L,
x





; 
0
dx
d
,
0,
x
K






где, 

К
– контактная разность потенциалов между металлом и 
полупроводником.
Используя эти граничные условия, получим:
a
a
L
en
C






arctan
0
0
1

(3) 
Подставляя выражение (3) в уравнение (2) получим:
a
a
L
en
a
a
x
en
dx
d













arctan
arctan
0
0
0
0



(4) 
После интегрирования (4) по координате имеем:

---