Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
248 
Рис. 2. Зависимости поверхностной концентрации кислорода от времени 
выдержки чистого Si при вакууме 10
-6
(кривая 1) и 10
-7
Pa (кривая 2). 
На рис. 2 приведены зависимости интенсивности оже-пика кислорода 
I
0
с энергией 506 eV от времени выдержки 
t
при вакууме 10
-6 
Pa (кривая 1)
и 10
-7 
Pa (кривая 2)
 
для Si(111), очищенного после имплантации ионами Ва
+
последующим прогревом. Видно, что в обоих случаях начиная с t = 10-12 sec. 
наблюдается увеличение интенсивности оже-пика кислорода, причем 
увеличение 
I
0
при вакууме 10
-6 
Pa значительно больше, чем в вакууме 10
-7 
Pa. 
При t = 70-100 сек. концентрация кислорода в первом случае достигает 0,5 – 
0,8 аt. %, а во втором - 0,3 – 0,5 at. %. Дальнейшее увеличение 
t
не приводит к 
заметному росту концентрации кислорода. Можно полагать, что загрязнение 
поверхности Si, выдержанных в условиях сверхвысокого вакуума, в 
основном происходит за счёт адсорбции атомов остаточного газа. Отметим, 
что после прогрева этих образцов в вакууме 10
-7
Pa при Т ≈ 1400 K в течении 
30 min адсорбированные атомы О полностью испаряются.
Установлено, что поверхность Si(111), очищенная методами прогрева 
после имплантации ионов Ва
+
, имеет структуру 1х1, а в случае ионно- 
плазменной очистки – 2х1. Показано, что в случае термической очистки на 
поверхности имеются ступеньки. Наиболее чистая поверхность формируется 
при очистке Si(111), имплантированного ионами Ва
+
в сочетании с 
последующим отжигом.
Выдержка хорошо очищенного Si(111) в вакууме 10
-7 
Pa в течение 70-
100 sec. приводит к загрязнению поверхности атомами О до концентрации от 
0,5 аt. % до 0,8 аt. % в вакууме 10
-6 
Pa После кратковременного прогрева этих 
образцов при Р≈10
-7
Pa до Т≈1400 K происходит полное испарение атомов О 
с поверхности.