Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

19-20 noyabr 2021 yil 
247 
тормозящим полем позволял автоматически регистрировать спектры ОЭС и 
снимать картины ДМЭ [3]. Анализатор типа Юза-Рожанского позволял 
увеличить чувствительность по обнаружению примесей до ~10
12
cm
-2
(0,01 
%) [4, 5]. РЭМ и ДБЭ картины снимались в стандартных приборах типа Jeol и 
ЭМР-2. 
Очистка поверхности КЭФ-4,5 Si(111) различными способами 
проводилась при вакууме не хуже 10
-7
Pa. Очистка в вакууме производилась 
следующими способами: сначало длительным прогревом (4-5 hours) до Т ≈ 
1200 K, а затем кратковременным при Т≈1500 K; ионно-плазменной 
обработкой с использованием ионов Ar
+
при давлении 5·10
-5
Pa с энергией 
500 eV с последующим кратковременным прогревом при Т ≈ 1200 K; 
прогревом при Т ≈ 1100 K [5] после имплантации ионов Ва
+
с Е
0
= 1 keV при 
дозе облучения D = 6·10
16
сm
-2
. 
На рис. 1 приведены оже-спектры термически очищенного Si (кривая 1) 
и Si, имплантрованного ионами Ва
+
, с последующим отжигом (кривая 2) [3]. 
Видно, что в первом случае на поверхности обнаруживаются мало 
интенсивные оже-пики О, С и S, а во втором случае они практически 
отсутствуют (в пределах оже-чувствительности спектрометра).
В таблице приведены концентрации примесных атомов О, С и S в 
образцах Si(111), очищенных различными способами в вакууме ~10
-7 
Pa, 
полученные сразу после очистки.
При выдержке очищенных образцов Si даже в условиях сверхвысокого 
вакуума наблюдаются загрязнения поверхности атомами О и С. Однако 
концентрация С при выдержке образцов в течении 1 hours не превышает 
более чем 0,3 аt.%.
Таблица
Концентрация атомов О, С и S на поверхности очищенного Si(111) 
Примесь 
Метод очистки 
Прогрев
Ионно-
плазмен
ная 
Имплантация ионов Ва + 
прогрев
О, % 
1,2 
0,3 
0,1 
С, % 
0,8 
0,2 
- 
S, % 
0,5 
- 
- 

---