Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
252
Тадқиқот ишларнинг ўтказилиши
Бир хил валентли структураларни ифодаловчи молекулаларнинг барча
боғланишларининг йиғиндисини ифодаловчи боғланиш энергиясининг
қийматини топиш мумкин.
, ,
Si
B O Cu
намунасида киришмалар ўртасидаги ўзаро таъсирлашув
жараёнида атомлар ўртасида электронлар алмашинуви содир бўлади. Бу
ҳолда киришма атомлари ўртасида ионли-ковалент боғланиш ҳосил бўлади,
деб қараш мумкин. Тажриба учун бошланғич материал сифатида Чохрал
усули билан ўстирилган КДБ-10 маркали кремний монокристаллидан
фойдаланилди. Кремнийдаги кислороднинг концентрацияси оптик усул
билан (
=9.1 мкм,
2
17
3
(5
7) 10
O
N
sm
) аниқланди. Мис киришмаси кремний
сиртига вакуум (
6
10
.
.
.
mm sim ust
) шароитида термик чанглатиб ҳосил қилинган
юпқа қатламдан
0
1050 1250
C
ҳарорат оралиғида
0
50
C
қадам билан диффузия
йўли
билан
легирланди.
Ҳосил
бўлган
, ,
Si
B O Cu
намуналари
параметрларини солиштириш учун ҳар сафар
,
Si
B O
-синов намуналари ҳам
биргаликда бир хил шароитда қиздирилди.
Диффузиядан кейинги
, ,
Si
B O Cu
ва
,
Si
B O
намуналари параметрлари
1-жадвалда келтирилган. Жадвалдан кўриниб турибдики, синов намунаси
,
Si
B O
нинг солиштирма қаршилиги диффузия ҳароратининг ошиб бориши
билан ошади,
0
1150
C
да эса солиштирма қаршилиги
3
4.7 10
Om sm
га тенг
бўлиб, ўтказувчанлик турини
p
-турдан
n
-турга ўзгартиради.
1-жадвал. Мис киришмаси легирланган
, ,
Si
B O Cu
ва
,
Si
B O
синов
намуналари параметрлари.
Диффузи
я
температураси,
0
C
Намуналар
, ,
Si
B O Cu
,
Si
B O
Ў.
Т.
,
Om sm
Ў.Т.
,
Om sm
1050
p
14
p
10.2
1100
p
13.3
p
11.2
1150
p
10.5
n
4.7·
10
3
1200
p
12.3
p
5·10
4
1250
p
14.4
p
11.2
Диффузия
температурасининг
0
1150
T
C
қийматларида
эса яна
ўтказувчанлик турини
p
-турга ўзгартиради ва
0
1250
C
температурада эса
бошланғич кремний намунаси параметрларига яқин қийматларга эга бўлади.
,
Si
B O
намуналари
параметрларининг
бундай
ўзгариши
илмий
Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
253
адабиётларда кремнийда юқори ҳароратли термодонорларнинг, яъни термик
тебраниш нуқсонларининг пайдо бўлиши билан тушунтирилади. Мис
киришмасининг
эса
кремний
параметрларига
сезиларли
таъсир
кўрсатмаслигини миснинг электр жиҳатдан фаол концентрацияси камлиги
(
14
3
5·10
sm
) билан изоҳлашади [7].
Бизнинг фикримизга кўра
, ,
Si
B O Cu
намуналари параметрларининг
бир мунча ўзгаришини, ҳамда миснинг кремнийдаги эрувчанлиги
қаралаётган ҳарорат оралғда
18
3
5·10
sm
эканлигини ҳисобга олсак,
кремнийда кислород ва мис киришмалари ўртасида кимёвий боғланган
электронейтрал комплекслар ҳосил бўлиш эҳтимоли катта. Бундай
комплекслар (
O
Cu
) ҳосил бўлишининг эффектив температураси
0
1150 1160
C
ҳароратга тўғри келади [7].
, ,
Si
B O Cu
намунасида киришма атомлари (ионлари) ўзаро
боғланишлар ҳосил қилиши мумкин бўлган ионлар жуфтликлари
вариантларини қараб чиқамиз. Бу ионлар жуфтларининг вариантлари ва
қаралаётган ионлар жуфтлари вариантларининг (2) формула билан
ҳисобланган Кулон кучлари қийматлари 2-жадвалда келтирилган. Вакуумда
ва аргон муҳитида ҳисобланган Кулон кучларининг қиймати фарқ қилмайди,
шунинг учун 2-жадвалда Кулон кучларининг вакуумда ва эриган
кремнийдаги ҳисоблаб чиқарилган қийматлари келтирилган.
2-жадвал.
Ионлар ўртасидаги Кулон ўзаро таъсирлашув кучларининг ионлар
жуфти вариантларига боғлиқлиги
№
Ионлар
жуфти
,
F N
Ваккумда
Кремний
эритмасида
1
4
3
Si
B
8
92,17 10
8
7,88 10
2
4
1
Si
Cu
8
4,92 10
8
0, 42 10
3
4
2
Si
O
8
19,3 10
8
1,65 10
4
3
2
B
O
8
6, 07 10
8
0,52 10
5
3
3
B
B
8
21.73 10
8
1.85 10
6
2
1
O
Cu
8
4.83 10
8
0.41 10
Оддий (бир) боғланишли ионлар жуфтининг боғланиш энергияси
қийматини электроманфийликлар фарқини ифодаловчи муносабатни
Do'stlaringiz bilan baham: |