Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
254 
тақрибан баҳолаш билан аниқлаш мумкин [8]. 
2
4
1
(
)
{ (
)
(
)} 100(
)
6.5(
)
2
A
B
A
B
E A
B
E A
A
E B
B
x
x
x
x









, 
1
kJ mol


(3) 
бу ерда 
(
)
E A B

- оддий боғланишли битта модданинг боғланиш 
энергияси қиймати, 
1
kJ mol


; 
(
)
E B
B

- оддий боғланишли бошқа, иккинчи бир 
модданинг боғланиш энергияси қиймати, 
1
kJ mol


; 
,
A
B
x x
-мос элементларнинг 
электрманфийлиги.
Биз қараётган 
, ,
Si
B O Cu


намунасидаги киришмаларининг ўзаро 
таъсирлашув вақтида уларнинг боғланиш энергияларини баҳолаш учун бир 
хил боғланишли ионли жуфтликларнинг боғланиш энергияларидан [9] 
фойдаланиб (3) формула ёрдамида ҳисоблаб топилди. Ҳисоблаш натижалари 
3-жадвалда келтирилган. 
3-жадвал. 
Ионлар жуфтининг вариантлари
. 
Ионлар 
жуфти 
вариант
лари
A-
элеме
нт 
,
A A
E

1
kJ mol


A
x
B-
элемен
т 
,
B B
E

1
kJ mol


B
x
Ионлар 
жуфт 
,
A B
E

1
kJ mol


1 
4
Si

187.0 
1.8 
3
B

225.0 
2.0 
4
3
Si
B



209,99 
2 
4
Si

187.0 
1.8 
1
Cu

339.0 
1.9 
4
1
Si
Cu



264,00 
3 
4
Si

187.0 
1.8 
2
O

143.0 
3.5 
4
2
Si
O



399,71 
4 
3
B

225.0 
2.0 
2
O

143.0 
3.5 
3
2
B
O



410,09 
5 
3
B

225.0 
2.0 
3
B

225.0 
2.0 
3
3
B
B



225,00 
6 
2
O

143.0 
3.5 
1
Cu

339.0 
1.9 
2
1
O
Cu



454,40 
 
Хулосалар
1. 
, ,
Si
B O Cu


намунасида бўлиши мумкин бўлган ионлар жуфтиининг 
энг катта эҳтимоллик билан ҳосил бўлиши олтинчи вариантга, энг кичик 
эҳтимоллик билан ҳосил бўлиши биринчи вариантга тўғри келади. (Бу 
таҳлилда бошқа ўзаро таъсирлашувлар инобатга олинмаган (вакансия-ион, 
дивакансия-ион)). 
2. 
, ,
Si
B O Cu


намунасида юқорида келтирилган олтита вариантларда 
кўрсатилган комплексларнинг ҳосил бўлиши тўлиқ шу киришмаларнинг 
табиатига боғлиқ бўлади (электрманфийлигига, ионнинг радиусига ва б.).
3. Бир боғли боғланишли комплексларнинг боғланиш энергияси энг 
каттаси бу 
O
Cu

комплекси экан.
4. 
, ,
Si
B O Cu


намунасида кислород ва мис киришмалари ўртасида 
ҳосил бўлувчи кимёвий боғланган 
O
Cu

комплекси 
0
1160
C
да максимал 
қийматга эришади.
Барча 
келтирилган 
натижалар 
кремний 
монокристаллидаги 
киришмаларнниг ўзаро таъсирлашуви натижасида комплексларнинг ҳосил 
бўлишни чуқур ўрганиш асосида ҳисоблаб чиқарилган. Киришмали 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
255 
комплекслар ўстирилаётган монокристаллнинг барча характеристикаларига 
таъсир кўрсатади. Шу сабабли киришмали комплексларнинг ҳосил бўлиш 
тафсилотини тўлиқ билиш зарур. 
ADABIYOTLAR 
1.
E.U.Arziqulov, S.N. Srajev., O.S.Ne‘matov, Yo‘ldashev J. Kremniyda 
kislorodli komplekslarning hosil bo‘lishi // SamDU ilmiy axborotnomasi, 2017 1-
son (101) 183-187 b.
2.
Фистуль В.И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках 
//Фистуль В.И.-М. : Изд-во физ-мат.лит-ры, 2004.-432 с. 
3.
Емцев В.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках 
//Емцев В.В., Машовец Г.В.-М.:Радио и связь,1981.-248 c. 
4.
Газов 
В.М. 
Физико-химические 
основы 
легирования 
полупроводников //Глазов В.М., Земсков В.С.-М. :Наука,1967.-371 с. 
5.
Фистуль В.И.Физика и химия твердого тела. Т2//Фистуль В.И.-
М.:Металлургия,1995.-320 с. 
6.
Ормонт Б.Ф.Введение в физическую химию и кристаллохимию 
полупроводников// Ормонт Б.Ф.-М.:Высщая школа,1982.-528 с. 
7.
Dash W.C. Copper presipitation on dislocation in silicon. //J.Appl. 
Phys. 1956, v.27, №10, p. 1193-1195.
8.
Полинг Л. Химия//Полинг Л.,Полинг П.-М.:Мир,1978.-683 с. 
9.
CRC Handbook of Chemistry and Physics. Editor David R. Lide, 
CRC Press, 2004,2660 pp.