Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
122 
Рис. 1. Зависимости I (
hv
) для Si(111) с 
пленкой Co толщиной 
Ɵ (
монослой): 
1 – чистый Si(111) 
Ɵ=0;
2-
 Ɵ=
1; 
3-
Ɵ=
3; 4-
 Ɵ=
6.
Рис. 2. Зависимости I (
hv
) для пленок 
CoSi
2
/Si(111) с толщиной 
Ɵ (
монослой): 
1-
 Ɵ=
0 (чистый Si); 2-
 Ɵ=
6; 3-
 Ɵ=
10.
Однако свет небольшой интенсивности проходит через пленки толщиной 
вплоть до 
Ɵ
≈10-12нм. По-видимому, очень тонкая пленка 
Со
пропускает 
свет. Отметим, что нанофазы и нанопленки 
Со
были аморфными. После 
прогрева кремния с нанофазами и пленками 
Со
при Т≈850-900К 
формировались нанокристаллические фазы и пленки 
CoSi
2
.
На рис.2 приведены зависимости 
I
(
hν
) для Si покрытого атомами Со с 
толщиной 3 и 10 (кривая 2 и 3) монослоев, измеренные до и после прогрева 
при Т≈900 К в течение 40 мин. Из кривой 2 видно, что после прогрева 
формирование нанофаз 
CoSi
2
с 
Ɵ
≈6 монослоев приводит к росту степени 
покрытия поверхности до 

0,5-0,6 и значение 
E
g
составляет до 

0,8эВ. В 
случае 
Ɵ
CoSi2
 
≈ 10 монослоев, значение 
I
практически уменьшается до нуля 
при 
hν=
0,6 эВ
.
Можно полагать, что при этом поверхность Si полностью 
покрывается сплошным, однородным эпитаксиальным слоем 
CoSi
2
 
с 
толщиной 

20-25 монослоев и 
E
g
этого слоя составляет 

0,6 эВ, что 
характерно для толстых слоев 
CoSi
2
[8]. 
Таким образом, в работе методом бомбардировки ионами 
Ar
+
получены 
регулярно расположенные центры, которые служили зародышами для 
получения наноразмерных фаз и пленок 
Со
. Последующий отжиг при Т ≈ 900 
К приводит к формированию наноэпитаксиальной структуры 
CoSi
2
 
на 
поверхности 
Si(111)
. Впервые изучены 
E
g
 
нанофаз и нанопленок 
Со
и 
CoSi
2
. 
Предполагается, что наноразмерные фазы 
Со
с поверхностным диаметром 
≤20нм обладает свойствами узкозонных полупроводников.