Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

 
 
 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
120 
Литература 
1.
М.К. Бахадырханов, Содиков У.Х., Илиев Х.М., Тачилин С.А.,Turdi 
Omar // Новый подход в получении перспективных материалов для 
фотоэнергетики Гелиотехника, 2017 г., №4. с. 129-131. 
2.
М.К. Бахадырханов, А.Ш. Мавлянов, У.Х. Содиков, М.К. Хаккулов // 
Кремний с бинарными элементарными ячейками, как новый класс 
материалов для будущей фотоэнергетики. Гелиотехника, 2015 г., №4. с. 125-
128. 
3.
М.К. Бахадырханов,С.Б. Исамов,Х.М. Илиев,С.А. Тачилин, К.У. 
Камалов // Фотоэлементы с расширенной спектральной чувствительностью 
на основе кремния с нановаризонными структурами, Гелиотехника, 2014 г. 
№2 с.130-136. 
4.
Green M.A. 'Erratum: Rare materials for photovoltaics: Recent tellurium 
price fluctuations and availability from copper refining (Solar Energy Materials 
and Solar Cells 119 (2013) (256-260))', 
Solar Energy Materials and Solar Cells
, 
2014. vol. 121, pp. 42,http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2013.10.008 
5.
Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Тошев А.Р., Саидов М.С. «Влияние 
изовалентных примесей на параметры кремниевых солнечных 
элементов», Гелиотехника 2001 г., №4, стр. 13-18. (01.00.00) №1. 
 
 
ВЛИЯНИЕ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ
НА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПЛЕНОК Co И CoSi
2
 НА 
ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ 
 
И.Х. Турапов, Б.Е. Умирзаков, И.Р.
Бекпулатов, Р.Ф. Файзуллаев 
Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, 
Узбекистан
, 
Многослойные системы на основе 
Si
и силицидов металлов являются 
основными материалами современной микро - нано - и оптоэлектроники. В 
частности, наноструктуры 
MeSi
2
/Si 
перспективны для создания СВЧ и УБИС. 
Поэтому для изучения 
MeSi
2
/
Si,
полученных методами МЛЭ, ТФЭ и ИИ 
посвящено большое число работ [1-2].
В данной работе мы попытались методом ТФЭ получить наноразмерные 
фазы и пленки 
CoSi
2
/
Si
(111) с использованием метода предварительной 
бомбардировки 
Si
ионами 
Ar
+
и изучить зависимость параметров 
энергетических зон от размеров нанофаз 
CoSi
2
. Для создания зародышей 
хорошо очищенная поверхность Si(111) бомбардировалась ионами 
Ar
+
с 
Е
0
=0,5 кэВ при 
D
=8·10
13
-2·10
14
см
-2
. Затем на эту же поверхность при 
комнатной температуре осаждались атомы кобальта со скоростью ~1 

---