Bog’lanish kuchlari

Elektron - kovak (n - p) o’tish

Ikkita yarim o’tkazgich kristallarini bir-biriga to’g’ridan-to’g’ri tekkazish bilan elektron-kovakli o’tish hosil qilish mumkin emas. Chunki kristallar sirti oksidlangan bo’lishi mumkin, bundan tashqari, chegara sirtida yarim o’tkazgichlarning energetik spektriga ta’sir qiluvchi begona kirishmalar atomlari, har xil ifloslanish va nuqsonlar bo’lishi mumkin.

Elektron - kovakli o’tishni hosil qiluvchi, amalda, eng ko’p tarqalgan usullardan biri – diffuziya jarayonidir. Diffuziya jarayoni – gaz, suyuqlik va qattiq holatda bo’lgan kirishma atomlarini yuqori temperaturada yarim o’tkazgich kristall panjarasiga kiritishdan iborat. Masalan, n – turli yarim o’tkazgichga aktseptor kirishmalarini yoki r – turli yarim o’tkazgichga donor kirishmalarini diffuziya usuli orqali kiritishdir.

Kirishmalarning ichkariga qanchalik kirganlik darajasi yoki n - p o’tishning chuqurligi diffuziya jarayoni vaqti va temperaturasiga bog’liqdir.

Ikki turli o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan sohalarni ajratuvchi chegara elektron - kovakli o’tishni bildiradi.