Радиоэлектроника асослари муҳаррир — Қ. Азимов

7.17- расм. Комплементар транзисторли мантиқии
схемалар:
а — параллел (ЁКИ- ЙЎҚ), б — кетма- кет (ВА- ЙЎҚ).


Агар мантиқий транзисторлари параллель схеманинг киришларига затвор кучланишининг остонавий қиймати U_зп (п — каналли транзистор учун) дан кичик кучла­ниш бернлеа, кириш транзисторлари Т₁ ва Т₂ ёпнқ, на­грузка транзисторлари Т₃ ва Т₄ очиқ бўлади. Лекнн очиқ транзисторлардан ўтадиган ток жуда кичик бўлга. ни учун уларнинг р—каналда ҳосил қиладиган потен­циал тушувнни ҳисобга олмаслик мумкин. Шунинг учун чиқиш кучланиши Е_с тартибида бўлади ва мантиқий «1» холатни ифодалайди.
Агар киришлардан бирига, масалан, Х₁ га U_зп дан катта (U₁ = U¹) кучланиш берилса, T₁ транзистор очилади, лекин Т₃ транзистор ёпилади. Т₃ транзистор­нинг қолднқ токи Т₁ транзисторнинг каналидан ўтадн ва унда ҳисобга олмаслик мумкин миқдорда кучланиш тушуви ҳосил қилади. Шунинг учун чиқиш кучланиши нолгача камаяди, яъни мантиқий ноль холат (U₂ = U°) ҳосил бўлади. Бу схемадаги кучланиш сакраши (ўзгариши ΔU_^ E_c га тенг бўлади. Шунинг учун схема катта турғунликка эришади.
Комплементар транзисторли мантиқий схемалардан яна бири интеграл инжекция мантиқий схемаси (И²Л) ҳисобланади. Унда комплементар транзисторлар биполяр транзисторлардан иборат бўлади. Бундай мантиқий схема фақат интеграл микросхема кўринишида ясалади. У жуда кичик юзани эгаллайди ва кам энергия сарф қилади. Шунинг учун рақамли асбобларни ихчамлаш- тиришда кенг қўлланилади.
И²Л элементнинг таркибий (а) ва эквивалент схемаси 7.18-расмда кўрсатилган.

7.18- расм. И²Л элемемтнинг таркиби (а) ва экви­валент (б)