Harbiy-texnik instituti sh. X. Kamilov raqamli qurilmalar: kombinatsion, ketma-ketli

kirishlar 
VT
1
 
xolati 
VT
2
 
xolati 
VT
3
 
xolati 
Chiqish 
A 
V 
≤0,4V 
≥2,4V 
Ochiq 
Yopiq 
Yopiq 
≥2,4V 
≤0,4V 
≤0,4V 
Ochiq 
Yopiq 
Yopiq 
≥2,4V 
≤0,4V 
≥2,4V 
Ochiq 
Yopiq 
Yopiq 
≥2,4V 
≥2,4V 
≥2,4V 
Yopiq 
Ochiq 
Ochiq 
≤0,4V 
Agar ≤0,4V va ≥2,4V qiymatlarini mos ravishda 0 va 1 almashtirilsa, unda 
3.1. jadval ikki o‘zgarvuchanli VA-EMAS mantiqiy funksiyani amalga oshiruvchi 
mantiqiy ventilning xolatlarini 3.2. jadvalda ko‘rsatadi. 
Jadval3.3. 
kirishlar 
Chiqish 
A 
V 
0 
0 
1 
0 
1 
1 
1 
0 
1 
1 
1 
0 
Ko‘rib chiqilgan ventil uchun signal tarqalishidagi kechikish katta bo‘ladi, 
chunki chiqishda yopiq bufer tranzistorda past potensialdan yuqori potensialga 

---

40 
o‘tishida rezistor ishlatilgan. Ventilning chiqish tarmog‘i va “er” orasida har doim 
na faqat montaj ulanishlari sig‘imlari hamda tranzistorlardagi o‘tish sig‘imlaridan 
tashkil topgan sezilarli parazit sig‘im xosil bo‘ladi. Ventilning chiqishi past 
potensialdan yuqori potensialga o‘tishidan avval parazit sig‘imi zaryadlanishga 
ulgurishi kerak. Zaryad toki asosan kollektor rezistori orqali o‘tadi. Shunday qilib, 
chiqishdagi potensial rezistor qarshiligi va parazit sig‘imi bilan aniqlanuvchi vaqt 
doimisida eksponensial o‘sadi. Yuqori potensialdan pastiga o‘tishi tezroq amalga 
oshadi, chunki sig‘im ochiq tranzistorning qarshiligi orqali “er”ga razryadlanadi.
TTM-ventillarning tezkorligi oshirish uchun uning bufer qismida rezistor 
o‘rniga VT
H 
tranzistor qo‘llaniladi (rasm. 3.2.). Ventil chiqishida potensial yuqori 
bo‘lganida bu tranzistor ochiladi va parazit sig‘imni zaryadlashga etarli bo‘lgan 
kichik omli zanjirni xosil qiladi. Bunday ventilning bufer qismi aktiv yuklamali
chiqish kaskadi deb nomlanadi.
Ushbu xolda bufer ikkita VT
3
va VT
H 
tranzistorlardan tashkil topgan bo‘lib, 
VT
H 
tranzistori ventilning chiqishida potensialni yuqori darajasini (ingl. - high) 
ta’minlashga, VT
3
- esa teskarisi potensialni past qilishga xizmat qiladi. Ventilning 
tiklagich qismidagi tranzistor qo‘shimcha rejimda ushbu ikkita tranzistorlar orqali 
boshqariladi. VT
2
yopiq bo‘lganida, VT
3 
tranzistorning bazasi “er” potensialiga 
ega bo‘ladi, VT
H
bazasi esa yuqori potensialga ega bo‘ladi. Shuning uchun VT
H
o‘tkazish xolatida, VT
3
- esa yopiq bo‘ladi.
3.2. rasm. 
Boshqa tarafdan, VT
2
o‘tkazsa, umumiy VT
H
va VT
3 
tranzistorlarning 
bazasi VT
H
tranzistori o‘tkazishi uchun etarli bo‘lgan oraliq potensiali qiymatiga 

---

41 
ega bo‘ladi. 3.2. rasmda ko‘rsatilganidek, VT
3 
tranzistoriga diod ulangan. Diod 
VT
H
tranzistor emmiterining potensialini taxminan 0,7 V ga oshirish uchun xizmat 
qiladi va shu bilan VT
2
va VT
3
ochiq bo‘lganlarida VT
H 
tranzistorning yopiqligini 
ta’minlaydi. VT
H
va VT
3 
tranzistorlariga ularning bir xolatdan ikkinchisiga 
o‘tishda tokni chegaralash uchun ketma-ket katta bo‘lmagan qarshilik ulangan. 
TTM-sxemalarda quyidagi kuchlanishlar qabul qilingan: mantiqiy nol uchun 
“0” – 0,4 V katta bo‘lmagan (≤0,4V), mantiqiy bir “1” – 2,4V kichik bo‘lmagan 
≥2,4V. Standart TTM-ventillarda kirishdagi mantiqiy nolda kirish tarmog‘idagi 
tokning nominal qiymati 1,6 mA teng, chiqishda esa tok 16 mA gacha bo‘lishi 
mumkin. SHunday qilib, chiqish bo‘yicha tarmoqlanish koeffitsienti (ya’ni ushbu 
chiqishga ulanuvchi xuddi shu turdagi ventillarning kirish tarmog‘larining 
maksimal soni) K155 seriyadagi standart TTM-mikrosxemalar uchun 10 teng. 
Amaliyotda tarmog‘lanish koeffitsienti 30 teng bo‘lgan ochiq kollektorli TTM 
ventillar ham qo‘llaniladi. Kamquvvatli TTM mikrosxemalar (masalan, K555 
seriyasidagi) kirishdagi mantiqiy nolga mos keluvchi tok 0,36 mA teng, chiqishda 
esa tok 8 mA gacha bo‘lishi mumkin.
TTM-sxemalari qatorida boshqa oiladagi ventillar ham qo‘llaniladi.