O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta‘lim vazirligi rosulov R. X. Tarmoq mashinalarini ta‘mirlash

Н
F
G
Н
−
=

bu yerda: F – qoplamaning maydoni, sm
2 
; 

- anod materialni zichligi, g/sm
2
; 
N
1
– o‘stirilgan qatlamni chuqurligi, sm. 

---

47 
1
2
3
50
40
30
20
4
0
10
20
30
+
-
O'stirishning solishtirma
davomiyligi min/ sm
2
2
6
8 10 12 14 16
Еl
ek
tr
od
m
as
sa
si
ni
o'
zg
ar
tir
is
h,
m
g,
V
A
1
2
8.1-rasm. Elektrouchqun usuli bilan 
detallarni tiklash sxemasi 
1-detal-katod, 2-elektrod-anod,
3-vibrator. 
8.2-rasm. Elektrouchqun usuli bilan 
o‘stirishda elektrod massasining 
o‘zgarishi. 1-egri chiziq-katod,
2- egri chiziq-anod. 
Qatlamning diffuzion chuqurlik koeffitsiyenti: 
D
E
= N
0
/N
1
D
E
kattaligi elektrouchqun rejimiga va anod materialiga bog‘liq. Rejim 
qancha kuchli bo‘lsa D
E
shuncha katta. Rejim katta bo‘lishi bilan tokning zichligi 
ko‘payadi va qatlam temperaturasi ko‘tariladi. 
Elektrouchqun jarayoni bir rejimda ishlashda anod materiali oq cho‘yan 
bo‘lsa, D
E
=3,3 teng, ferroxrom uchun - D
E
=15,5, grafit uchun - D
E
=20. 
Elektrouchqun jarayonida N
0
= 0,02

2 mm gacha. Qatlamaning qattiqligi 
10

10
3
-14

10
3
MPa. Agar qotishma T15K10, T15K6, T15K4 dan bo‘lsa unda 
mikroqatiqligi 20

10
3
MPa gacha. Shu materiallardan tiklangan detal juda 
mustahkam va ishqalanishga chidamli bo‘ladi. Bu usul bilan 1,0-1,5 mm yeyilgan 
detallarni tiklash mumkin. 
Elektrouchqun jarayonini kamchiligi: 1) unumdorligi past; 2) qatlamni 
umumiy o‘stirishi ham kam. 

---

48 
Nazorat savollari: 
1.
Anoddan katodga o‘tgan massa elektrouchqun jarayonida qaysi qonun 
bo‘yicha topiladi? 
2.
Elektrouchqun jarayonida qanday anod materiallari ishlatiladi? 
3.
Elektrouchqun jarayonning kamchiliklari va afzalliklari? 
9. DETALLARNI PLAZMA VA GAZOTERMIK QOPLASH (METALLASH) 
USULIDA TIKLASH 
Detallarni plazma usuli bilan tiklash 
Oxirgi vaqtda yeyilgan detallarni tiklash va mustahkamlash uchun plazma 
bilan ishlov berish keng qo‘llanilmoqda. 
Plazma baland temperaturali ionlashgan gazda bo‘ladi (A
2
, N). Gazni ensiz 
naychadan o‘tkazib, elektroyoyni zichlab temperaturani 16000-17000

C gacha 
ko‘taradi. Bu temperaturada ionli plazma gazi paydo bo‘ladi va plazma oqimi 
plazmatrondan yuzaga chiqadi. Bu oqimli plazma oqimida kichkina hajmda katta 
quvvat issiqlik paydo bo‘ladi (9.1-rasm). Shu sabab bilan plazmatroni ortiqcha 
isishi elektroyoyga nisbatan 3-5 barobar kam, gaz payvandga nisbatan 10-30 
barobar kam bo‘ladi. Ko‘rsatilgan afzalliklardan boshqa plazma bilan ishlov berish 
boshqa afzalliklarga ham ega. 
Termik ta‘sir zonasi ham shu darajada kamayadi. Plazma oqimi xilma-xil 
materiallarni suyuqlantirib qoplaydi. Jarayon katta tezlikda va unumdorlikda 
bajariladi. Qo‘shimcha qiyin eriydigan metalni eritish uchun (sim, poroshok) 
plazmotron orqali beriladi, eritiladi va zich havo orqali detalga yuboriladi. Plazma 
uslubi jarayoni sxema bo‘yicha 1- rasmda ko‘rsatilgan. Jarayon UPU-3D va UMP6 
plazma qurilmasida o‘tkaziladi. Ishlatadigan plazmatron PP-25. Rejim: J = 300-
400A, U = 85-90V to‘g‘ri qutbli o‘zgarmas tokdan. Tokni PS-500, PSO-500 va 
IPN-160/600 (tok o‘zgartirgich) qurilmadan qabul qiladi (9.1-rasm). 

---

49 
9.1-rasm. Detallarni plazma usuli bilan tiklash sxemasi 
a-porshokli material bilan plazmali qoplash (1-volframli elektrod; 
2-plazmatron soplosi; 3-elektr qarshilik; 4-elektr ta‘minoti manbai;
5-plazma oqimi; 6-plazma alangasi; 7-tiklanayotgan detal; 8-elektrodni sovitish 
uchun suv uzatish tizimi; 9-poroshok tashuvchi gaz;10-plazma hosil qiluvchi gaz);
b-sim yoki sterjen bilan plazmali qoplash (1-volframli elektrod; 2- plazma hosil 
qiluvchi gaz; 3- plazmatron soplosi; 4-elektr qarshilik; 5-elektr ta‘minoti manbai; 
6-elektr qarshilik; 7-tiklanayotgan detal; 8-plazma alangasi; 9-o‘tqazish simi;
10-plazma oqimi).