Муҳаммад ал-хоразмий номидаги тошкeнт ахборот тeхнологиялари унивeрситeти

LM324 микросхемаси
LM324 микросхемаси (МС) юқори кучланишлар оралиғида (диапазонида) бир манбадан ишлайдиган, ягона корпусда йиғилган, бир хил характеристикаларга эга тўртта операцион кучайтиргичдан (ОК) ташкил топган. Ҳар бир ОК ўзининг таркибида кириш дифференциал, қисқа туташувлардан (ҚТ) ҳимоя ва бирламчи кучайтиришда частота бўйича коррекциялаш (созлаш, тўғрилаш) каскадларига эга. Ушбу микросхеманинг арзонлиги электроника саноати радио схемаларида кенг қўлланишини таъминлайди. У компакт олиб юрувчи электрон қурилмалар ясашда ишлатилади.
LM серияси National Semiconductor да ишлаб чиқилган интеграл микросхемаларга асосланган. LM префикси дастлаб linear monolithic (линейли (чизиқли), монолитли) деган иборани билдирган ва умумий мақсадларга мўлжалланган (General Purpose) кучайтиргичларни белгилаш учун қўлланган ва уларга юқори шартлар қўйилмаган. “324” сонлари микросхеманинг серия рақамини билдиради. Охиридаги «-N» харфи билан National Semiconductor дан Texas Instruments сотиб олган қурилмаларни белгилаш учун қўлланилади. 2011 йил сентябрида National Semiconductor Texas Instruments га берилган эди ва у ўзининг маҳсулотида LM префиксини ўзгартирмаган. Шунинг учун ҳозирда LM белгиси Texas Instruments ишлаб чиқарилиш коди ҳисобланади, аммо ундан ушбу микросхема аналогларини ишлаб чиқишда бошқа ташкилотлар ҳам кенг фойдаланадилар.
LM324 ва N харфли микросхемалар бир хил физик ва электрик характеристикаларга эга. Кўпгина ишлаб чиқариш ташкилотларида “-N” символларининг охирида белгиланиши DIP14—микросхемаси корпусининг пластикли турда эканлигини кўсатади.
Чиқишларининг конфигурацияси
У DIP-турли корпусда ишлаб чиқарилади: пластикли CDIP, керамикали PDIP ёки сиртқи монтаж (улаш) учун SO-турли: SOIC, TSSOP. Конструктив қурилма 14 та чиқиш (оёқча)га эга. Шунинг учун айрим техник кўрсатмаларда DIP-14 ёки SO-14 белгиланишларини кўриш мумкин. 10.1 – расмда LM324 микросхемаси ва корпусининг тузилиши бўйича кўринишлари келтирилган.



10.1– расм. LM324 микросхемаси ва корпусининг тузилиши бўйича турлари
Шуни таъкидлаш лозимки, кўпгина ишлаб чиқариш-фирмалари ўзларининг маҳсулотларини доим такомиллаштирадилар. Ҳозирги пайтда ўзларининг бир қатор функциялари билан устун турадиган модификациялар пайдо бўлмоқда, масалан, электрик разряддан ички ҳимояга эга LM324K, LM324KA (HBM ESD); 21 мкА истеъмол токига эга микроқувватли LP324; BiCMOS технологияси бўйича ишлаб чиқилган, истеъмол токи 9 мкА, кучланиши 2,7В дан 5,5В гача бўлган, кичик волтли LMV324 ва бошқалар. Белгиланишида «А» символли кучайтиргичлар, масалан, VIO бўйича бошқа («A» сиз) ларга қараганда “LM324A-N” яхши характеристикаларга эга бўладилар.

10.2– расм. LM324 микросхемаси аналоги
LM324 аналогларининг импортли рўйхати: ULN4336N, GL324, LA6324, IR3702, HA17324, MB3614, NJM2902D, SG324N, TDB0124, UA324, TA75902P, Россияда ишлаб чиқилган 1401УД2 ва 435УД2.
Чиқишларининг вазифаси турли корпуслар учун бир хил: 2,3, 5,6, 9,10, 13,12 — киришлари, 1,7,8,14 – чиқишлари, 4 – плюс (+) манба, 11 – минус (-) манба. 10.3– расмда LM324 микросхемасининг ички тузилиши келтирилган.

10.3– расм. LM324 микросхемасининг ички тузилиши