Муҳаммад ал-хоразмий номидаги тошкeнт ахборот тeхнологиялари унивeрситeти

РС 817 микросхемасининг электро – оптик характеристикалари
15.1 – жадвал.

Параметрлар		Белги-ланиши		Қий-мати	Мин	Тури	Мах	Бир-лиги
Кириш	Тўғри кучланиш	VF		IF=20мА	-	1.2	1.4	В
	Юқори тўғри кучланиш	VFM		IFМ=0.5мА	-	-	3.0	В
	Тескари ток	IR		VR=4В	-	-	10	A
	Юклама сиғими	CT		V=0, f=1кHz	-	30	250	pF
Чиқиш	Коллектор токи ёпилиши	ICEO		VCE=20В	-	-	10^-7	A
Узатиш характеристикаси	Ток бўйича ўзатиш коеффициенти	CTR		IF=5мА, VCE=5В	50	-	600	%
	Коллектор-эмиттер кучланиш тўйиниши	VCE(sat)		IF=20мА, IС=1мА	-	0.1	0.2	В
	Қаршилик ҳимояси	RISO		DC500V, 40 дан 60% гача	5*10^10	10^11	-	
	Ўзгарувчан сиғим	Cf		V=0, f=1MHz	-	0.6	1.0	pF
	Чегаравий частотаси	fC		VCE=5В, IС=2мА, RL=100Ом, -3dB	-	80	-	кHz
	Жавоб бериш вақти	Ўсиши	tr	VCE=2В, IС=2мА, RL=100Ом	-	4	18	s
		Кама-йиши	tf		-	3	18	s

https://shematok.ru/optopara/pc817
2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:
Тадқиқ этилаётган оптрон принципиал схемасини ва чегаравий қийматларини ёзиб олинг.
2.1. Диодли оптрон характеристикасини тадқиқ этиш.
2.1.1. 15.6 – расмда келтирилган схемани йиғинг. Манбадан берилаётган чегаравий ток қийматини оптрон чегаравий қийматларига мос равишда ўрнатинг.

15.6-расм. Транзисторли оптрон статик характеристикасини ўлчаш схемаси.
2.1.2. Е₂=0 деб олинг. Е₁ ни ўзгартириб бориб, оптроннинг кириш характеристикаси I_КИР=f(U_КИР) ни ва фотовольтаик режим учун оптрон узатиш характеристикасини I_ЧИҚ=f(I_КИР) ўлчанг. Ёруғлик диоди киришидаги қаршилик R₁ дан анча кичик бўлганлиги сабабли, кириш қаршилигини I_КИР= E₁/R₁деб олинг.
2.1.3. Е2=5 В ўрнатинг. 2.1.2 – банддаги ўлчашларни фотодиодли режим учун такрорланг. Ўлчаш натижаларини 15.2 – жадвалга киритинг.
15.2 – жадвал

E2=0V	Е1, В	0	0.5	1	1.5	2	3	4	5	6	7	8	9	10
	UКИР, В
	IКИР, мА
	IЧИҚ, мА
E2>0V	Е1, В	0	0.5	1	1.5	2	3	4	5	6	7	8	9	10
	UКИР, В
	IКИР, мА
	IЧИҚ, мА

2.1.4. Оптрон чиқишидаги сигналнинг ортиб бориш t_орт. ва камайиб бориш t_кам. вақтларини ўлчанг.

15.7 – расмда келтирилган схемани йиғинг, ёруғлик диоди занжирига импульс генераторини уланг. Генратор чиқишида амплитудаси 5В ва частотаси 1кГц бўлган импульсни ўрнатинг. R2 қаршиликка 1:10 кучланиш бўлувчиси орқали осцилограф уланг. (Осцилографнинг бошқа каналидан генератор чиқишидаги импульс амплитудасини ўлчаш учун фойдаланинг). Е2=5 В ўрнатинг ва чиқиш токи осцилограммасидан сигналнинг ортиб бориш t_орт. ва камайиб бориш t_кам. вақтларини ўлчанг.
Е2=0 ни ўрнатинг ва фотовольтаик режим учун вақт ўлчовларини такрорланг.

15.7-расм. Диодли оптрон динамик характеристикасини ўлчаш схемаси.

2.2. Транзисторли оптрон характеристикаларини тадқиқ этиш.

15.8 – расмда келтирилган схемани йиғинг, Е2=5 В ўрнатинг.

15.8-расм. Кучайтиргичли диодли оптронни ўлчаш схемаси.(Бу схемада оптрон фотодиоди ва ташқи транзистор фототранзисторни имитация қилади).
Е1 ни ўзгартириб бориб, I_КИР=Е1/Р1 ва I_ЧИҚ=I_К деб олиб, транзисторли оптрон узатиш характеристикаси I_ЧИҚ=f(I_КИР) ни ўлчанг. Ўлчаш натижаларини 15.3 жадвалга ўхшаш тарзда 15.4 – жадвалга киритинг.
15.4 – жадвал

E2=0V	Е1, В	0	0.5	1	1.5	2	3	4	5	6	7	8	9	10
	UКИР, В
	IКИР, мА
	IЧИҚ, мА
E2>0V	Е1, В	0	0.5	1	1.5	2	3	4	5	6	7	8	9	10
	UКИР, В
	IКИР, мА
	IЧИҚ, мА

3. Тажрибада олинган натижаларни ишлаш.

3.1. Оптрон кириш характеристикасини қуринг ва I_КИР=10 мА қийматига мос келувчи кириш кучланиши U_кир қийматини аниқланг.
3.2. Диодли ва фотовольтаик режимлар учун оптрон узатиш характеристикаларини қуринг ва I_КИР=10 мА қийматида ток бўйича узатиш коэффициентини K_I аниқланг.
3.3. Диодли оптронда сигнал тарқалишининг ўртача кечикиш вақтини ҳисоблаб топинг.
.
3.4. Транзисторли оптрон узатиш характеристикасини қуринг ва I_КИР=10 мА қийматида ток бўйича узатиш коэффициентини K_I аниқланг.
4. Ҳисобот мазмуни.
1) тадқиқ этилаётган оптрон чегаравий қийматлари ва принципиал схемаси;
2) ўлчаш схемалари;
3) ўлчанган боғлиқликлар жадваллари ва графиклари;
4) ҳисоблаб топилган параметрлар;
5) ток ва кучланиш осцилограммалари.