Министерство информационных технологий и развития коммуникаций республики узбекистан имени мухаммада аль-хорезми

Нарисуйте следующие графики на основе результатов расчета:

1. 𝑰к = 𝒇(𝝎𝒕);	2. 𝑼к = 𝒇(𝝎𝒕);
3. 𝑰э = 𝒇(𝝎𝒕);	4. 𝑰к = 𝒇(𝑼к);
5. 𝑼э = 𝒇(𝝎𝒕);	6. 𝑼к = 𝒇(𝑰б).

Содержание отчета :

• 
  параметры исследуемого транзистора.
  
• 
  л aboratoriya maketinin работы три принципиальной схемы .
  
• 
  б для каждого этапа раздельной работы - название этапа и полученные результаты (в виде таблиц, графиков и осциллограмм).
  
• 
  краткое резюме результатов.
  

Контрольные вопросы

1. 
   Каковы различия (схемы, параметры и характеристики) между каскадами усилителей ОБ, ОЭ и ОК?
   
2. 
   Нарисуйте эквивалентную схему транзистора, фазу усилителя транзистора.
   
3. 
   Измерьте (определите) входное и выходное сопротивление усилителя, коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности.
   
4. 
   Причины искажения сигнала в каскаде транзисторного усилителя.
   
5. 
   Как вы понимаете частоту среза?
   

4 - ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА
Исследование схемы усилителя на полевом транзисторе.
Цель работы: Усилитель транзисторный каскад выполнен из области, чтобы исследовать и измерять динамические характеристики и дифференциальные параметры.

4 .1– рисунок. Схема усилителя выполнена в полевом транзисторе.
На основании результатов измерений в лаборатории затора оранжевый содержит 4.1 - заполненную таблицу.
Таблица 4.1

𝜔𝑡, 𝑔𝑟𝑎𝑑	0	30	60	90	120	150	180	210	240	270	300	330	360
𝑈ЗИ(𝜔𝑡), 𝑉
𝐼С(𝜔𝑡), 𝑚𝐴
𝑈СИ(𝜔𝑡), 𝑉

На основании измеренных значений

• 
  𝑼_ЗИ = 𝒇(𝝎𝒕); – 𝑰_С = 𝒇(𝝎𝒕);
  
• 
  𝑼_СИ = 𝒇(𝝎𝒕);
  
• 
  𝑰_С = 𝒇(𝑼_ЗИ) это 𝑼_СИ = 𝒄𝒐𝒏𝒔𝒕
  
• 
  𝑰_С = 𝒇(𝑼_СИ) это 𝑼_ЗИ = 𝒄𝒐𝒏𝒔𝒕
  
• 
  𝑼_СИ = 𝒇(𝑼_ЗИ) это 𝑰_С = 𝒄𝒐𝒏𝒔𝒕 графики нарисованы.
  

U_ЗИ= f(ωt)

U_СИ = f(ωt)

I_С= f(U_ЗИ)_,
На основании полученных графиков рассчитываются значения следующих коэффициентов:
Характеристическая вертикальность U_СИ = const когда это S _ ^IC ;
U_ЗИ
Внутреннее (дифференциальное) сопротивление
U_ЗИ = const когда это R_i  ^UCИ ;
I_C
Коэффициент усиления по напряжению

^U^CИ илиSR_i .
I_С = const когда это _
U_ЗИ
Контрольные вопросы

1. 
   Опишите полевой транзистор, управляемый затвором pn перехода, и объясните механизм его работы.
   
2. 
   Опишите режимы работы полевого транзистора. Какое отношение напряжения между током транзистора и запасом в каждом режиме?
   
3. 
   Какая система дифференциальных параметров используется в полевых транзисторах и почему?
   
4. 
   Опишите и объясните полевые характеристики полевого транзистора, управляемого pn-переходом.
   
5. 
   Опишите и объясните семейство выходных характеристик полевого транзистора, управляемых затвором pn-перехода.
   
6. 
   Опишите характеристику передачи полевого транзистора, управляемого pn-переходом измеряемого объекта при различных температурах. Чем объясняется наличие температурных стабильных точек в этих характеристиках?
   

5- ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА
Исследование генератора постоянного тока в БТ
Цель работы: Изучить каскад усилителя, изготовленный из В- гиполярного транзистора, и измерить динамические характеристики и дифференциальные параметры.
Электронное устройство, которое обеспечивает заданное значение тока, протекающего из произвольной цепи , называется генератором постоянного тока ( ГПТ). Значение тока, протекающего через нагрузку, не зависит от источника напряжения, параметров цепи и изменения температуры.

Функция ГПТ заключается в поддержании постоянного значения выходного тока при изменении входного напряжения и значения нагрузки, и они используются в аналоговых и цифровых микросхемах, которые выполняют различные функциональные функции.
Только идеальный источник тока с бесконечно большим динамическим сопротивлением может обеспечить постоянное значение тока. Идеальный источник тока откровением AV горизонтальной прямой ( 5,1 ). Выходная характеристика БТ, подключенного в УФ-цепи, близка к идеальному генератору тока ВАХ. Это означает, что транзистор, подключенный в УФ-цепи, может фактически действовать как генератор тока. Но на практике два или более транзистора используются для обеспечения температурной стабильности и широкого динамического диапазона.
Простейшая схема ГПТ показана на рисунке 5.2 . В схеме транзистор VT1, называемый базовым транзистором, подключен к цепи тока I ₁ с помощью диода, подключенного по прямой линии. У него очень мало сопротивления. Поэтому VT1 действует как генератор напряжения. Р _Ю. удалось цепь б постер серии VT2 соединен с Транс Fellow в эмиттер-база перехода власти.
В связи с тем, что транзистор VT2 управляется напряжением базы эмиттера, его характеристики соответствуют характеристикам УФсхемы . Известно , что УФ подключен к схеме , будет зависеть от активного режима, коллектор , пока напряжение коллектора почти - поля ( 5.2 ). Следовательно, ток I _2, проходящий через произвольный R _Yu , определяется базовым напряжением U _EB2 . Мы показываем на практике, что I ₂ = I ₁ .

Рисунок 5.2 . Простая схема ГПТ.
Токи I _E1 и I _E2 имеют высокую точность