Министерство информационных технологий и развития коммуникаций республики узбекистан имени мухаммада аль-хорезми

2– ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА
Исследование схемы усилителя ОЭ на биполярных транзисторах
Цель: измерить параметры простой усилительной схемы, выполненной в биполярном транзисторе, соединенном в общую схему эмиттера .
1. Подготовка к лабораторным работам:
В ходе исследования были измерены параметры простой ступени усилителя, выполненной в биполярном транзисторе, подключенном к общей цепи эмиттера, как показано на рисунке 2.1.

Рисунок 2.1 . Простая схема усилителя , реализованная в БТ в схеме ОЭ .
Транзистор работает в активном режиме. Резисторы R _B и R _K обеспечивают рабочий режим переменного тока. R _B в это время , отличных от базового текущего компонента конфигурации опасаться в посте.
I_Б0 E^{K }_R^UБ^БЭ⁰ ^{ E}_R^KБ , (2.1)
отсюда ток коллектора
IK0   IБ0 IКЭО   IБ0, (2.2) Резистор R _K защищает ток коллектора от коротких замыканий через источник напряжения. Рекомендуется, чтобы R _K >>
R _Yu . Поскольку величина R _K одновременно влияет на постоянную напряжения в коллекторе
U_КЭ0 E_K I_K0R_K . (2.3)
При заданных значениях E _K и R _K рабочая точка транзистора при постоянном токе задается одним параметром I _B (0) или I _K (0) или U _KE (0), а не двумя параметрами . В измерениях удобно использовать U _KE (0).