Министерство информационных технологий и развития коммуникаций республики узбекистан имени мухаммада аль-хорезми

I_Э  I₀ exp(U_БЭ /_Т) (5.1)

аппроксимируется выражением, где I ₀ - ток насыщения обратно смещенного ЭО. Транзисторы я _Е0 и _Т рН пара-м та же для _BE1 = _BE2 условиях.
I_Э1  I_Э2 . (5.2)
На рисунке 5.1
I1  IЭ1 IБ2, I2  IK2  IЭ2 IБ2 .
Учитывая 5.1
I₂  I₁ 2I_Б2 (5.2)
могу написать. Ток базы в 50 ÷ 100 раз меньше тока коллектора. Поэтому в расчетах можно принять, что I ₂ = I ₁ . Ошибка не превышает 1 ÷ 2%. Следовательно, выходной ток I _{2 в} цепи нагрузки R _Yu повторяет входной ток как по значению, так и по направлению, независимо от схемы. Что касается значения входного тока, то оно равно e с достаточной точностью I₁  (E_М1 0.6)/ R.
Я не изменит тока стабилизированный источник напряжения Е _{1, М1} достигается за счет использования. В результате зависимость тока I _{2 от} параметров цепи E _M2 и R _Yu теряется.
Однако в такой ГПТ температурная стабильность тока I ₂ не обеспечивается, поскольку базовый ток I _B2 сильно зависит от изменений температуры. I _{2 Более} сложные схемы используются для обеспечения температурной стабильности тока.
Например, 5 . На рисунке 3 показана трехтранзисторная схема ГПТ (токовое зеркало Уилсона). В нем базовые токи управляющих транзисторов VT1 и VT2 направлены в противоположные стороны.
схемы
I1 IБ2  IБ1  IЭ1, I2  IБ2 IБ1  IЭ3
виден
Транзисторы VT1 и VT2 являются двойниками. Их производительность режима - символы - которых коллектор база напряжения разница. Напряжение на базе коллектора транзистора
VT1 равно напряжению на базе эмиттера транзистора VT2 , т.е. это значение
мало. Напряжение на базе коллектора транзистора VT2, с другой стороны, определяется падением напряжения на резисторах R и R _Yu в цепи и может быть значительно больше.
Но базовый ток слабо связан с коллектором - базовое напряжение, поэтому I _B1 = I _B2 . Токи эмиттера также равны 5. I _E1 = I _E3 , которые равны друг другу из-за условий на рисунке 2 . В результате , I₂  I₁ 2(I_Б2 I_Б1)  I₁.
Из этого выражения видно, что возврат входных и выходных токов в схеме, показанной на рисунке 5.2, выше, чем в схеме 5.3.

Рисунок 5.3 . Уилсон нынешняя 5.4 . Активные трансформаторы зеркальная схема . тока.
Для ряда интегральных схем требуются слаботочные ГПТ с большим базовым током I₁ (I₂ <<I₁). В этих случаях используется простая схема улучшения ГПТ (рисунок 5.3).
Эта схема называется цепью трансформатора тока. Для него
I_Э2R_Э U_БЭ1 U_БЭ2 ; U_БЭ1  Е_M I₁R (5.3)
выражение уместно.
Используя оптимизированный переход ВАХ (5.1),
U_БЭ1 _T ln(I₁ / I₀) ; U_БЭ2 _T ln(I₂ / I₀) (5.4)
могу написать.
Из выражений (5.3) и (5.4)

^T ln E^M U^БЭ1 (5.5)
I₂ 
RЭ I2R
мы создаем.
Исходя из заданного значения тока I ₂ нг (5.5), можно найти сопротивление резистора R_E :
_Э ^T ln E^{M U БЭ1} . (5.6)
R 
I 2 I 2 R
Несмотря на простоту этой схемы, она обеспечивает хорошую температурную стабильность, потому что R _{E имеет} отрицательный TA через резистор. Температура в расчетах изменяется неустойчивость тока . ∆I₂=2,5 почтенной организации. Кроме того, когда R _E = 1 кОм (статическое сопротивление), динамическое сопротивление ГПТ близко к 1 Мом.