|
Содержание отчета:
- ОУ паспортных инструкций и редактируемых схем на стадии изучения; - Схемы измерения параметров ОУ и полученных результатов.
Контрольные вопросы
Какие требования к параметрам «Идеал» ОУ?
Почему ОУ не может работать без анализа частотных характеристик?
Объясните значение параметра напряжения сдвига OУ.
ОУ. Объясните физический смысл параметров среднего значения входного тока и разности входных токов. На каких входных сигналах они измеряются?
Объясните физический смысл параметра скорости увеличения выходного напряжения.
12 - ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА
Исследование характеристик передачи переключателя, выполненного в БТ
Цель работы: экспериментальное исследование статических режимов и процессов переключения в простой схеме переключения с биполярным транзистором.
Схема переключателя транзистора должна иметь два статических статических состояния, в которых транзистор находится в режиме насыщения (открытое состояние) или в закрытом режиме (закрытое состояние). В схемах с кремниевым транзисторным переключателем начальное поле активного режима соответствует закрытому состоянию транзистора. При переключении из одного устойчивого состояния в другое транзистор работает в активном или инвертированном режимах.
Параметры статического состояния транзисторного переключателя следующие:
t y - время соединения
t f - длительность фронта фронта при соединении, а t
при отключении (прерывание)
Это напряженность свадьбы- насыщения I k0b - обратный ток.
Транзисторный выход от величины рабочего напряжения ( U = -e свадьбы N + I k0b R ) характеризуются высокими.
To'yininsh режим коллектора так , я kto'y = (Е - U К ) / Р Р свадьбы выходного напряжения U = О свадьбы .
Параметры переходного процесса при подключении транзисторного переключателя:
t y - время соединения t f - длительность фронта фронта при подключении, t suck - время поглощения заряда, накопленного в базе, Т DES - длительность задней части передней секции.
Временные диаграммы клемм переходной банки в транзисторном переключателе показаны на рисунке 12 .1.
Процесс поглощения в начале шестидесятых лет, и закрывать входной транзистор напряжения х б с момента насыщения заряда , хранящимся в базе данных , он вызвал состояние активного предела Q предела -i шм характеризуется erishguncha стоит времени. Если коллекторный переход транзистора закрыт до перехода эмиттера ( T k e ), то транзистор переключается в нормальный активный режим, в противном случае ( T e k ) транзистор остается в инвертированном режиме.
Процесс переключения при отключении (отключении) транзистора завершается сечением выходного напряжения (задний фронт). Во время этого процесса можно оценить, что формирование задних передних концов заканчивается, когда неосновные зарядные поглотители, накопленные в основании, полностью поглощаются ( Q Yu = 0 ). В реальных цепях большая часть сечения выходного напряжения генерируется в закрытом режиме транзистора.
Конденсатор в базовой цепи транзисторного катетера называется ускоряющим конденсатором. Он служит для повышения базовых токов до высокого значения за короткое время. Скорость транзисторного переключателя также можно увеличить, подключив диод между коллектором и базой, который определяет их потенциалы относительно друг друга и поддерживает глубокое насыщение транзистора. Такие транзисторные переключатели называются ненасыщенными. Когда транзистор включен, разность потенциалов между коллектором и базой будет держать диод закрытым, пока диод не станет достаточным. При открытии диода ток, протекающий через R x, проходит через диод к базовой цепи и подключается через источник сигнала. Это уменьшает базовый ток. Количество заряда, накопленного в основании, значительно уменьшается, что приводит к значительному сокращению времени поглощения заряда.
Описание модели
Схема, показанная на рисунке 12.2, позволяет изучать статические состояния транзисторного переключателя и процессы переключения в нем. В первом случае более низкое напряжение от источника G1 подается на базовую цепь через резистор R1 с использованием разъема U1-2 . Для измерения постоянного тока или напряжения в цепи переключателя (U1-6) используется микроамперметр, который служит измерителем тока или напряжения с использованием разъема «I2» U1-U2. В случае U1-U разъем «12» в виде миллиамперметра в цепи коллектора (шкала 20 мА); В случае «U» в качестве вольтметра (шкала 20 В) для измерения базы используются ток коллектора и напряжения E K и U CHIK соответственно.
При исследовании процессов коммутации в цепи на его вход поступают прямоугольные импульсы от внешнего генератора. Компоновка компоновки предназначена для изучения влияния возможности изменения значений параметров ряда компонентов на их схемы классификации. Значение нагрузки коллектора R K0 (с помощью разъемов P16-20, возможность дискретного переключения обеспечивается подключением конденсатора S2 (с помощью разъема P3-4 ) к базовой цепи, нагрузочного конденсатора S2 (с использованием разъема P5-6).
Рисунок 12 .1 . Переходные процессы переключения временные диаграммы.
Модель использует маломощный низкочастотный германиевый транзистор типа MP42A. (V = 3 0 ... 50; S = 30 . Пф, Р МАХ = 200 МВт)
модели обеспечивают дополнительные параметры элементов и стимулирование дополнительного ношения:
Do'stlaringiz bilan baham: |
