Министерство информационных технологий и развития коммуникаций республики узбекистан имени мухаммада аль-хорезми

2. Задание для лабораторных работ
2.1. Изучите влияние сопротивления нагрузки U _CHIQ = f (U _KIR ) на характеристику сигнала переключения, выполненную в ПТ. п типа канала индуцирующего мдя транзитного ключа схема Торд завершен 13 .2- картины. Схема E2 = 9В питания. Входное напряжение U _KIR подается от регулируемого источника напряжения E1 . Выходное напряжение _U и избегая потребления цифрового вольтметра и амперметра для измерения. Возьмите один из n-канальных транзисторов в чипе K176LP1 как VT1. Для удобства эксплуатации нарисуйте принципиальную схему микросхемы в приложении и отметьте номера электродов.
Рекомендуется проводить эксперимент в следующем порядке:

13 .2 - рисунок. , Схема n- планировщ ика реализована в транзисторах - МДП. (Нагрузочный резистор)

13 .3 - рисунок. Схема n- планировщ ика реализована в транзисторах -МДП. (Транзистор в нагрузке)

13 .4 - рисунок. Дополнитель ная пара дополнительных транзисторов или

отдельная схема
переключения в
микросхеме K176LP1 как VT1 и VT2
Подключите линейный резистор R = 51 кОм к цепи запаса транзистора
МДП;

• 
  установить значение источника напряжения E2 = 9 В;
  
• 
  Измерить соотношение между U _CHIQ = f (U _KIR ) и I _IST = f (U _KIR ) , изменяя входное напряжение от 0 до 9 В ;
  
• 
  сопротивление R = 10 дешево и 3,5 дешево повторить значение измерений ; - Используя результаты эксперимента, построим графики зависимости U _CHIQ = f (U _KIR ) .
  

2.2. n - Исследование коммутационных характеристик, выполненных в транзисторах МДЯ.
Принципиальная электрическая схема переключателя, выполненного в n- MDA-транзисторах , показана на рисунке 13 .3. В качестве транзисторов VT1 и VT2 возьмите дополнительные транзисторы на микросхеме K176LP1 или отдельную схему переключения. Повторите эксперименты в пункте 2.1.

2. 
   3 . Исследование коммутационных характеристик выполнено в транзисторах КМДП.
   

Принципиальная схема коммутатора, выполненного в транзисторах КМДП, приведена на рис. 13 .4. В качестве транзисторов VT1 и VT2 выберите дополнительную пару дополнительных транзисторов на микросхеме K176LP1 или отдельную схему переключения.
Повторите эксперименты в пункте 2.1.

2. 
   Обработка экспериментальных результатов.
   
   1. 
      Построить характеристики передачи, полученные на шаге 2.
      
   2. 
      Определить разницу между уровнями логического сигнала U ⁰ и U ¹ и уровнями логического сигнала _L U = U ¹ - U ⁰ для каждого коммутатора.
      

Введите результаты, полученные в таблице 13 .1.

Таблица 13.1

Параметр Тип загрузки			U^0, В	U^1, В	ΛU, В	Pср, мВ
	Устойчивая нагрузка
	Rю=51кОм Rю=10кОм Rю=3,5кОм
n – МДЯ (p-МДЯ) транзистор с переключателем

3. 
   Определите среднее значение потребляемой мощности от источника в логическом нуле и логическом тесте: 1 0 P1; P0,1  IИСТ 0,1ЕМ .
   

Pch  P 
2