Министерство информационных технологий и развития коммуникаций республики узбекистан имени мухаммада аль-хорезми

Содержание отчета.

• 
  схемы измерений;
  
• 
  таблицы и графики полученных зависимостей;
  
• 
  Анализ результатов измерений и расчетов.
  

Контрольные вопросы.

1. 
   Объясните, что параметры переключателя, подключенного к резистору в качестве нагрузки, зависят от значения сопротивления на нагрузке.
   
2. 
   Почему переключатель в транзисторах КМДП не потребляет энергию от источника в статических условиях?
   

14 - ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА
Исследование интегральной схемы ТТЛ
Цель работы: изучить электрические параметры транзисторнотранзисторной логической интегральной схемы.
1. Подготовка к лабораторным работам:
При этом необходимо обратить внимание на физический смысл и методы измерения основных электрических параметров логических микросхем, а также на схематические свойства транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ). Статические параметры могут быть определены с использованием графика характеристики передачи
(U _CHIK = f (U _KIR ) ) ( рис. 14 .2).
Из исходной характеристики сигнала (рис. 14.1) определяются логический ноль U и логическая поверхность U ¹ (характеристика определяется по точкам A и B, связанным с ее зеркальным отображением ), затем из графика на рис. 14 .2 I ⁰ _KIR i I ¹ _KIR . получается.

14 .1 - рисунок. Характеристики 14 .2 - рисунок. Определение передачи логического элемента ТТЛ значений I ⁰ _KIR и I ¹ _KIR по характеристике передачи
Используя график ( рис. 14 .1), определяется допуск ИМС к статическому шуму U _n = min (U ⁺ _n , U ^- _n ) . (Обратите внимание, что в точках C и D эксперимент проходит под углом 45 °).
Скорость чипа определяется средним временем распространения сигнала:
1  0,1 t1,0кеч,
tўрт.кеч t кеч 
2
где t опаздывает на 0,1, а t опаздывает на 1,0 - среднее время задержки переднего и заднего фронтов импульса, измеренное при 0,5 амплитуды импульса.
Эффективность чипа измеряется средней потребляемой мощностью (ноль и один случай):

P  P 
ўрт 1 0 P1.
2
Внутреннее качество чипа определяется искусственным параметром работы подключения:
Aузатиш  tўрт.кечPўрт .
В лабораторных работах используются микросхемы K155LAZ или K555LAZ с 4 цепями 2NO -NOT . Принципиальная схема исследуемой микросхемы, расположение выходов и основные электрические параметры приведены в приложении.
При подготовке к работе в отчет должны быть включены схема и параметры МСМ, приведенные в приложении.

2. 
   Задание для лабораторных работ:
   
   1. 
      Измерение передачи и входных характеристик чипа.
      
      1. 
         Используя любой из четырех элементов 2 ИЛИ-НЕ, имеющихся в микросхеме K155LA3 b, соберите схему, показанную на рисунке 14.3 (в качестве примера показан порядок вывода схемы).
         

14.3 - рисунок. Схема измерения
Подайте на один из входов ИМС входное напряжение и подключите полюс «+» источника к другому (не используется). Е1 входного напряжения 0 ... 5 В , чтобы изменить oarlig'da я = F _(U ) и передачи характеристикой _U = F ( _КИР ) мера. Введите результаты измерений в таблицу.

2. 
   К огда U _KIR = U ⁰ ≈ 0,4 В и когда U _KIR = U ¹  2,4 В, соответствующий расход составляет I ⁰ _ist. и я ¹ _ист. измерять токи ( значения шага U ⁰ и U ¹ взяты из паспортных инструкций).
   
1. 
   Измерение грузоподъемности чипа.
   

Используйте схему, изученную в предыдущем абзаце. ИМС , инструкции по паспорту ввести логическое значение нулевого U = 0,4 V . Сопротивление нагрузки на выходе ИМС: Измерьте выходную характеристику нагрузки U _CHIK = f (R _Yu ), задав R _Yu = 10 кОм, 1 кОм, 470 Ом, 100 Ом .
2,3. Изучение скорости логического чипа.
14 .4 - Соберите схему, показанную на рисунке. Чтобы продлить задержку и упростить измерение, четыре чипа соединены последовательно (помните, что результат должен быть разделен на четыре).
Подключите осциллограф к входу (точка A) и выходу (точка B). В это время выход ИМС должен быть подключен через делитель напряжения 1:10, установленный на панели осциллографа. Это позволяет уменьшить емкость соединительного кабеля и эффект осциллографа в 10 раз. (Поскольку входная цепочка имеет низкий коэффициент, здесь это не требуется).
Для того, чтобы ввести амплитуду 5 В и Часте АСИ 1 кГц прямоугольные импульсы. Определите время задержки переднего и
заднего фронтов ( t 0,1 поздно , t 1,0 поздно ).

1 4 .4 - рисунок. Схема измерения.

3. 
   Обработка экспериментальных результатов.
   
   1. 
      _{Построить} графики зависимости U _CHIK = f (U _KIR ) и I _KIR = f (U _KIR ) от результатов измерений в п. 2.1 и определить основные параметры: U ⁰ , U ¹ , I ⁰ _KIR , I ¹ _KIR , U _M ⁺ , U _M ^- , U _{M ..} Рассчитать среднюю потребляемую мощность R _орт .
      
   2. 
      _{Рассчитаем} среднее время задержки t при распространении сигнала t _поздно и работу пересоединения A _ul .
      
   3. 
      _{Построить} график зависимости нагрузки от выходного напряжения, измеренного в 2,2 - U ¹ _CHIK = f (R _Yu ) . На графике определения величины падения напряжения в паспортной инструкции U ¹ _CHIK = 2,4 В значение нагрузки R _Ю..мин .
      

Содержание отчета.

• 
  инструкции по паспорту чипа K155LA3, приведенные в приложении ;
  
• 
  таблицы результатов измерений и графики зависимостей; - значения полученных параметров МСМ.