Ла. Девочкин ал ч и з д а н и е второе, переработанное

УХОД ЗА КУЛЬТУРОЙ
Период роста мицелия в субстра­
те. Важнейшее условие быстрого роста мицелия — 
создание оптимальных температуры и влажности суб­
страта.
Продолжительность роста мицелия в субстрате з а ­
висит от способа выращивания культуры.
Г рядовы й способ вы ращ ивания в приспособленных
помещениях.
При этом способе 
выращивания, 
как 
правило субстрат теряет много тепла через пол поме­
щения, быстро остывает, его температура 
после по­
садки мицелия уже через несколько дней составляет 
18—22 °С, а иногда и ниже, поэтому прорастание ми­
целия в субстрате визуально бывает 
заметно через 
4—7 дней после посадки. Приживаемость 
мицелия 
проверяют на 7— 10-й день. Д л я этого в различных 
местах гряды над кусочками 
грибницы осторожно 
приподнимают субстрат. Если грибница вокруг поса­
женных кусочков разрослась во все стороны на 1 —
3 см, то приживаемость можно считать удовлетвори­
тельной. Если же в эти сроки мицелий только начи­
нает образовывать 
гифы в отдельных 
местах, 
то 
приживаемость считают слабой. Ч аще всего слабая 
приживаемость мицелия обусловлена его низкой ж и з ­
неспособностью или чрезмерно 
низкой влажностью 
субстрата. В первом случае необходима 
повторная 
посадка доброкачественным мицелием, во втором — 
осторожный равномерный полив субстрата с м елкока­
пельным распылом воды (желательно через форсунки 
опрыскивателя).
При грядовой культуре шампиньона, 
по данным 
Н. Г. Громова, для роста мицелия благоприятна тем­
пература субстрата 18—2 0 °С, более высокую темпе­
ратуру при выращивании шампиньона на напольных 
грядах поддерживать практически невозможно. В т а ­
ких условиях мицелий, как правило, удовлетворитель­
но разрастается в субстрате в течение 
18—25 дней.
Позднее было установлено, что наиболее интенсив-
118

---

нмй рост мицелия происходит при температуре суб­
страта 24—26 °С и влажности 
воздуха в культива­
ционном помещении 90—95 %. 
При этом продолжи­
тельность периода 
роста 
мицелия в субстрате 
не 
превышает 12— 14 дней.
Несмотря на высокую влажность воздуха, поверх­
ностный слой субстрата, как правило, 
значительно 
подсыхает. Это особенно часто бывает при выращива- 
иип шампиньона в приспособленных помещениях, где 
по предусмотрено оборудование для поддержания не­
обходимого микроклимата. В практике грибоводства 
для предохранения поверхности субстрата от высыха­
ния используют укрытие гряд газетной бумагой. Д ля 
укрытия пригодна 
бумага, 
имеющая 
достаточную 
прочность и определенную пористость, сохраняющая 
необходимый уровень газообмена после увлажнения.
Длительное время считали, что повышенная кон­
центрация углекислого газа отрицательно воздействует 
па приживаемость и вегетативный рост мицелия ш ам ­
пиньона. X. Чирпе установлено, что концентрация уг­
лекислого газа около 2 % (по объему) не оказывает 
пега I ишюго влиянии па рост мицелия. Д. Раст пока- 
аал, что мицелий шампиньона способен фиксировать 
углекислый газ, то есть в условиях повышенной кон­
центрации СОг происходит стимуляция роста мице­
лия.
П. Лонг и Л . Якобс установили, что оптимальные 
границы концентрации С 0 2 в период роста мицелия 
и субстрате находятся в очень широких пределах — 
от 0,03 до 2 % и более.
Высокая концентрация С 0 2 может стать причиной 
снижения активности роста мицелия в субстрате толь­
ко в том случае, если в культивационном помещении 
отсутствует вентиляция. Д вижение воздуха предотвра­
щает такж е возникновение зон повышенной тем пера­
туры.
Циркуляция воздуха особенно важ на при очень 
большом количестве субстрата по отношению к объ­
ему помещения, а следовательно, и к объему воздуха 
и нем.
Повышенная концентрация углекислого г а з а ,'с т и ­
мулируя вегетативный рост мицелия, тормозит пере­
ход паутинистого мицелия в тяжистый и исключает
119

---

возможность преждевременного 
перехода 
культуры 
к плодообразованию.
По-видимому, определенную роль играют и другие 
газообразны е продукты распада органических соеди­
нений Субстрата и метаболизма мицелия, однако влия­
ние их на вегетативный рост мицелия шампиньона 
изучено недостаточно.