Kirisiw I bap. Yarım ótkezgishli diod jáne onıń túrleri

MAZMUNI
Kirisiw……………………………………………………………………….
I bap. Yarım ótkezgishli diod jáne onıń túrleri………………………………
1.1-§. Yarım ótkezgishli triod. Bipolyar tranzistorlar……………………….
1.2.§ Bipolyar tranzistorlardıń sxemaǵa jalǵanıwı…………………………
1.3.§ Bipolyar tranzistorlardıń statikalıq xarakteristikaları………………….
II bap. Yarimөtkizgishli asbaplar …………………………………………...
2.1 § Yarimөtkizgishli tranzistorlar…………………………………………
2.2 § Yarim otkizgishli asbaplar turleri……………………………………… 2.3 § Diodlar ham onin’ tu’rleri……………………………………………..
Juwmaqlaw ………………………………………………….. Paydalanılǵan ádebiyatlar …………………………………

TEMA: Yarim otkizgishli tranzistorlar. Bipolyar transistor parametrleri

KIRISIW
Tranzistor (anglichan: transfer — kóshiriw hám rezistor) — elektr terbelislerdi kúsheytiw, generatsiyalash (payda etiw) hám ózgertiw ushın mólsherlengen 3 elektrodlı yarım ótkezgish ásbap hám de mikroelektronika apparatlarınıń tiykarǵı elementi.
Tranzistorlar dúzilisi, islew Principi hám parametrlerine kóre 2 klasqa ajratıladı — bipolyar hám maydaniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda eki túrdegi (p-tipli hám n-tipli) ótkezgishlikke iye bolǵan yarım ótkezgishler isletiledi. Bipolyar tranzistor, óz-ara jaqın jaylasqan p-n ótiw esabına isleydi hám baza -emitter ótiwi arqalı tokni basqaradi. Maydaniy tranzistorlarda tek bir túrdegi (n-tipli yamasa p-tipli) yarım ótkezgishler isletiledi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan tiykarǵı ayırmashılıǵı sonda, olar kernewdi basqaradi, tokni emes. Kernewdi basqarıw zatvor hám istok arasındaǵı kernewdi ózgertiw arqalı ámelge asıriladı.
Házirgi kúnde analog texnikaler áleminde bipolyar tranzistorlar (BT) (xalıq aralıq termin — BJT, Bipolar Junction Transistor) tiykarǵı orındı iyelegen. Cifrlı texnikaler salasında bolsa, kerisinshe maydaniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlardı siqib shıǵarǵan. Ótken ásirdiń 90 -jıllarında, házirgi dáwirde de elektronikada keń kólemde qollanilayotgan bipolyar-maydaniy tranzistorlardıń gibrid kórinisi — IGBT islep shıǵıldı.
1956 -jılda tranzistor effektin izertlew etkeni ushın William Shockley, John Bardeen hám Walter Brattain fizika boyınsha Nobel sıylıqı menen táǵdirlanishgan.
1980-jılǵa kelip, óziniń kishi ólshemleri, turaqlı islewi, ekonomikalıq tárepten arzanlıǵı esabına tranzistorlar elektronika salasından elektron lampalardı siqib shıǵardı. Sonıń menen birge, kishi kernew hám úlken toklarda isley alıw qábileti sebepli, elektromagnit rele hám mexanik úzip-jalǵawshılarǵa mútajlik qalmadı.
Elektron sxemalarda tranzistor „VTፆ yamasa „Qፆ háripleri menen hám de jaylasqan ornına muwapıq indeks menen belgilenedi. Mısalı, VT15. Orıs tilindegi ádebiyatlar hám hújjetlerde bolsa XX ásirdiń 70-jıllarına shekem „Tፆ, „PPፆ (poluprovodnikoviy pribor) yamasa „PTፆ (poluprovodnikoviy triod) sıyaqlı belgilenishlar da isletilingen.