Bipolyar transistor kuchaytirishining chegaraviy chastotasini hisoblash

Bipolyar transistor kuchaytirishining chegaraviy chastotasini hisoblash


Foydalaniladigan tranzistorning xarakteristikalari. Loyihalangan qurilma KT208K bipolyar tranzistoriga asoslangan. Transistor KT208K - kuchaytiruvchi sxemalarda ishlatiladigan kremniy epitaksial-planar p-n-p turli tranzistordir.



Elektr parametrlari

Nomlanishi	Belgilanish	Qiymatlar
		min	max
1.1. Teskari emmiter toki (Ue= Ueb max), mkA	I эбо		1
1.2. Teskari kollektor toki (Uk= Ukb max) , mkA	I кбо		1
1.3. Kichik signal kuchlanishi rejimida teskari aloqa koeffisenti	h21б
1.4. UE bo'lgan zanjirdagi statik tok o'tkazish koeffitsienti (Uk= 1 Ik=30 mA, f=0,27kHz da) Тс=+125 ^0С Тс=-60 ^0С	h21э	80 80 40	240 480 240
1.5. Shovqin koeffisenti, dB (Uk= 3 Ik=0,2 mA, f=1k Gs )	Ksh		4
1.6. UE bo'lgan zanjirdagi kichik signal rejimida kirish qarshiligi Ie=5 mA da (Uk= 5, f=0,27kHz da)	h11э	130	2500
1.7. Kollektor ulanishining sig'imi, pF (Uk= 10 f=500kHz) 1.8 Emitent ulanishining sig'imi, pF (f=500kHz da) 1.9 Kollektori-emmiter to'yingan kuchlanishi, V (Ik=300 mA, Ib=60 mA da) 1.10 Baza-emmiter to’yininsh kuchlanishi, V ( Iк=300 мA, Iб=60 мA da) 1.11 Sxemada UE bilan tok o’tkazish chegaraviy chastota koeffisenti. MGts (Uk= 5 Ik=10, mA da) 1.12. Kichkina signal rejimida chiqish o'tkazuvchanligi, Ie=1 mA da UE bo'lgan sxemada (UK= 5, f=0,27kHz)	СК СЭ UКЭ UБЭ f гр h22э	5 0,15	50 100 0,4 1,5 0,55

2.) Maksimal ruxsat etilgan parametrlar. Atrof muhit haroratida kafolatlangan

Ts=-60…+125 0S

2.1. Ik max – DC kollektor tok, mA	0,3
2.2. Ik va max - kollektor impuls toki, mA t va J100 mks va Qí10 da	0,5
2.3. Ukb max - kollektor-bazao’zgarmas kuchlanishi, V	0,1
2.4. Uke max - kollektor-emitter doimiy kuchlanish (RbJ2 kOm da), V	45
2.5. Ueb max - emitter-baza doimiy kuchlanishi, V	45
2.6. Pk max - doimiy quvvat sarfi, mVt	200
2.7. T p max - O'tish harorati, ^0С	150
2.8. Ruxsat etilgan muhit harorati, ^0С	-60…+125

Elektr ta'minoti va tranzistorning ish rejimini barqarorlashtirish sxemasi

Sxema elementlarining vazifasi:
Rэ – teskari aloqani o’rnatadi;
Rн – yuklama qarshiligi ;
Сс - izolyatsiyalash kondansatori, kirish signalining DC(o’zgarmas tok) komponentini kechiktiradi (bu boshlang'ich tok oqimining buzilishiga olib kelishi mumkin);
Bizning sxemamizda o’zgarmas tokning teskari aloqa salbiy ta’siridan foydalaniladi. Qayta aloqani o'rnatuvchi Re rezistorining qiymati Re=[(0.1yo0.3)Ep]/Ie shartidan aniqlanadi. Keyin shartdan R2 orqali oqib o'tadigan holatdan tok I_d ni tanlaymiz
I_d=(3:10) I_b va R1, R2 rezistorlarining qiymatlarini quyidagi nisbatlarga muvofiq aniqlang:








Ishchi nuqtasida tranzistorning kichik signalli parametrlarini aniqlash

1.) Transistorning chiqishida qisqa tutashuv bilan o'lchangan kirish qarshiligi, tranzistorning chiqish xususiyatlaridan foydalangan holda (4-rasm).

2. Transistorning chiqishida qisqa tutashuv bilan o'lchanadigan oqim uzatish koeffitsienti tranzistorning kirish xarakteristikasi xususiyatlaridan foydalanamiz (5-rasm).




5-rasm

3.) Tranzistorning kirishida bo'sh holatda o'lchanadigan qayta aloqa koeffitsienti:

Bipolyar tranzistorlar va ish nuqtalarining barcha turlari uchun u qabul qilinadi
(DI_b , DI_k ,DU_be , DU_ke - ish nuqtasi 0 ga nisbatan simmetrik ravishda olingan o'sishlar
Transistorlar ekvivalent zanjir qiymatlarini aniqlash
Bipolyar tranzistorning (Джиколетто sxemasi) fizik past signalli yuqori chastotali ekvivalent sxemasi rasmda ko'rsatilgan. 6-rasm.



6-rasm

Kollektor ulanishining to'siq sig'imi;

Transistorning chiqish qarshiligi;

kollektor ulanishining qarshiligi;

Emmiter toki uchun emmitert ulanishining qarshiligi;

Baza toki uchun emmiter ulanishining qarshhiligi;

Baza qarshilik taqsimoti;

Берем = 100 Ом

Emmiter o’tishining sig’im qarshiligi;

7 нФ

Transistorning ichki vaqt doimiysi;

Tranzistor o'tkazuvchanligi;

мА/В


Bipolyar tranzistorning chegara va cheklovchi chastotalarini aniqlash

1. 
   UE bilan sxemada tranzistorning kuchaytirish chegaraviy chastotasi
   
2. 
   

2. UE bilan sxemada cheklash chastotasi

3. Предельная частота транзистора по крутизне:

4. Максимальная частота генерации: