Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния

 
1.1.2. Электрохимический метод микроструктурирования системы 
SiO
2
/Si 
Наиболее 
доступным 
и 
дешевым 
способом 
получения 
наноструктурированных материалов является создание нанокристаллов

---

16 
Стандартным 
способом 
формирования 
ПК 
является 
процесс 
электрохимической анодной обработки пластины монокристалического 
кремния в электролите, состоящем из пловиковой кислоты (HF), воды и/или 
спирта [30]. Кремниевая пластина в таких экспериментах является анодом, а 
катодом служит платиновый электрод. На кремниевый электрод подают 
положительный потенциал. Одним из важных условий получения латерально 
однародной пленки ПК является хороший контакт между обратной стороной 
кремниевого анода и металлического контактного электрода. Чаще всего в 
качестве электролита используют концентрированную плавиковую кислоту 
(HF) или ее растворы в водно-спиртовых смесях (HF:H
2
O:C
2
H
5
OH) в 
определенных пропорциях. Также известен способ получения ПК в водных 
растворах фтористого аммония (NH
4
F) с определенной степеностью 
кислотности pH = 2,5 – 4 [31]. 

---

17 
кристалла. В результате этого толщина пленок пористого кремния в 
зависимости от времени травления может изменяться от нескольких микрон 
до сотен микрон.
Как уже отмечалось выше, именно в ПК была обнаружена эффективная 
люминесценция в видимом диапазоне спектра, интерпретированная на 
основе квантово-размерного эффекта в нанокристалле кремния (nc-Si) 
[32,33].
1.1.3. Микроструктурирование системы SiO
2
/Si при воздействии