Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ, ИСПОЛЬЗОВАННЫЕ В 
РАБОТЕ…………………………………………………………………………..39
2.1. Объекты исследований .................................................................................. 39
2.2.
Схема и принцип работы лазерной установки для 
микроструктурирования экспериментальных образцов ................................... 40
2.3.
Выбор источников излучения ....................................................................... 42 
2.4. Методы исследования экспериментальных образцов ................................ 44

---

3 
2.4.1 Метод сканирующей зондовой микроскопии ....................................... 44
2.4.2.
Метод измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) .................. 49 
2.4.3.
Метод измерения вольт-фарадных характеристик (ВФХ) ................ 50 
2.4.4. Метод бесконтактного измерения температуры нагрева образцов ... 57
Выводы к главе 2 ................................................................................................... 60
ГЛАВА 3. МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЕ СИСТЕМЫ SIO
2
/SI 
ИМПУЛЬСНЫМ ИТТЕРБИЕВЫМ ВОЛОКОННЫМ ЛАЗЕРОМ .................. 61
3.1.
Математическая модель механических напряжений, инициированных 
лазерным импульсом.. .......................................................................................... 61
3.2. Выбор режимов микроструктурирования системы SiO
2
/Si при точечном 
облучении…………… ........................................................................................... 66
3.3. Локальная пластическая деформация кремния в системе SiO
2
/Si при 
точечном облучении……….. ............................................................................... 70
3.4.
Электрофизические характеристики системы SiO
2
/Si при возникновении 
локальной пластической деформации ................................................................. 76
3.5.
Вольт-амперные характеристики системы SiO
2
/Si при возникновении 
локальной пластической деформации ................................................................. 81
3.6. Выбор режимов микроструктурирования системы SiO
2
/Si при 
сканировании лазерного пучка……………….. .................................................. 84
3.7. Механизм микроплавления кремния в системе SiO
2
/Si при сканировании 
лучом волоконного лазера .................................................................................... 86
Выводы к главе 3 ................................................................................................... 95