Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
324 
интересно процесс позволяет расширению фоточувствительности таких 
материалов до λ=8мкм. 
Рис. 1 - Спектральная зависимость фотопроводимости образцов SiS>с 
ρ
=2,9·10
5
Ом·см при 
Т
=300К 
Поскольку концентрации электроактивных атомов серы (~10
17
см
-3
и 
селена 5·10
17
см
-3
, это позволяет получение сильнокомпенсированного 
кремния на основе кремния р-типа с достаточно низким удельным 
сопротивлением 
ρ=0,5÷0,1 
Ом.см., 
что 
существенно 
расширяет 
использование таких материалов создания не только высокочувствительных 
фотоприемников ИК излучения но также диоды N и S образным 
характеристиками чувствительные к как ИК так и видимому (рисунок 2) 
свету[3-4]. Еще одно премуществ сильнокомпенсированного кремния с серой 
и селеном это стабильность их электрических параметров независимо от 
допольнительного термоотжига в области Т=(300÷700)
К в достаточно 
длительном сроке т.е. в таких материалах практически распад не происходит. 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
325 
Рис. 2 - Спектральная зависимость фотопроводимости образцов с 
ρ
~2,9·10
5
Ом·см и 
ρ
~2,8·10
4
Ом·см при 
Т
=100К. 
Недостатки таких материалов является проводения достаточно 
длительное время диффузии длч получения равномерно легированного 
кремния с толщины d=0,8-0,5мм. При диффузии S
и Se в кремнии в 
обычных условиях происходит значительное эррозия поверхности, что и 
создаёт дополнительное механические и химические обработки материалов 
после диффузии. Однако в работах[5-6] предложено безэррозионный 
технология [7] диффузии этих примесей, основано на управлении давлением 
паров диффузианта S
и Se с помощью по этапному повышениб температуры 
до диффузионной температуры. Как показывает результаты работы 
действительно применения такого способа диффузии исключает эррозию 
поверхности кремния. 
Литература 
1.
ZHANG Jian, BA.Wei-zhen, CHEN Zhao-yang, CONG Xin-yun, TAO 
Ming-de, 
M.K.Bahadirhanov//Higly 
Compensated 
Si: 
Light–Sensitive 
Characterstic// Electronic Compennents & Materials, 2004, Vol. 23, No.3, pp. 20-
22. 
2.
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев. Фотоприемники 
иккизлучения в области λ = 1.5–8 мкм на основе кремния с многозарядными 

---