Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Фойдананилган адабиётлар
1. А.А. Щука. Наноэлектроника. М. Физматкнига. 2007. - 464стр.
2. Третьяков Ю.Д., Гудилин Е.А. Основные направления 
фундаментальных 
и 
ориентированных 
исследований 
в 
области 
наноматериалов//Успехи химии. 2009. Т. 78. № 9. стр. 867- 888.
3. Springer Handbook of Nanotechnology // ed. by B. Bushan. Springer, 
2010. 1916 pp.
4. Г.А.Кулабдуллаев, Т.Т. Рахмонов, Ш.Х. Камилов. О развитии 
лучевой терапии в лечении онкологических заболеваний республики 
Узбекистан.ВТИ НГ РУз., Т. 2018, ― Ахборотнома №2, стр.163-166.

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
318 
ОСОБЕННОСТИ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ 
КРЕМНИЯ С НАНОКЛАСТЕРАМИ АТОМОВ Ni 
 
Э.Б. Саитов 
Ташкентский государственный технический университет, ул. 
Узбекистана, 2, Ташкент, Узбекистан, 100096 
E-mail: [e-mail] 
Сегодня большое внимание уделяется производству слоистых 
наноструктур и устройств на их основе в медицине, наноэлектронике и 
микроэлектронике, а также в других областях. Используются один или 
несколько методов термообработки через тонкий слой, переносимый на 
базовую поверхность. 
Ученые Запорожского национального университета Украины С.В. 
Томилин, А.С. Яновский и другие в своих экспериментах диффузировали Pd 
в образец кремния. Палладий в образце кремния образует слицид и 
принимает на себя НДС образовавшейся структуры. Эти слои дают диоды 
Шоттки, и эти диоды могут использоваться в производстве промышленной 
электроники. 
В Ташкентском государственнном техническком университете, 
профессора кафедры «Цифровая электроника и микроэлектроника» и 
исследователи научной школы, созданной ныне покойным академиком 
Академии наук Республики Узбекистан М.К. Баходирхановым, разработали 
технологию получения структур на поверхности образцов кремния путем 
термической обработки (легирования) и электродиффузии. 
Результаты формирования слоев термообработкой тонкого слоя 
палладия и никеля, перенесенного на поверхность образца кремния, 
изучались в работе авторов [1].
В нашем настоящем исследовании путем обработки образцов Si со 
слоем Pd и Ni при разных температурах была получена вольт-амперная 
характеристика (ВАХ), и анализ этих результатов привел к различиям между 
двумя образцами. 
Для измерений ВАХ нужно получить два контакта к
наноструктурированным 
объектам 
НДС 
на 
всей 
поверхности 
полупроводниковой подложки. Для подвижного контакта используется зонд 
(W-зонд) из вольфрамовой проволоки, для неподвижного - поверхность из 
полированного алюминия (слой алюминия) [2]. 
Базовая поверхность может перемещаться по осям x-y-z. Зонд 
выполнен из вольфрамовой проволоки в виде треугольной пирамиды. На 
рисунке 1 выше показана электрическая и механическая схема устройства. 
Установка состоит из платформы 1, стойки для образцов 2, держателя зонда 3 
и двусторонней направляющей секции. Основание 5, удерживающее рабочую 
поверхность на месте, отполировано на опорной пластине 6, которая 

---