Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Ga
 
Si n-tip
Sb
Si n-tip
Si n-tip

GaSb

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
328 
3-rasm. Diffuziya jarayonida olingan namunalarning yutilish spektri.
3-rasmdan ko’rinib turibdiki, 4 xil namunalarning chastota va intensivlikga 
bog’liqli optik xossalari keltirilgan. IV- spektr dastlabki material KEF 1, I - spektr 
I guruh namunasi, II - spektr II guruh namunasi, III - spektr III guruh 
namunalarinig spektral tasnifi.
Rasmdan ko’rinib turibdiki 2360 sm
-1
chastotada dastlabki material KEF 1 
va III guruh namunasida yutulish kuzatildi. Lekin I va II guruh namunalarida bu 
yerda bunday yutulish kuzatilmadi.
Olingan natijalardagi o‘zgarish diffuziya jarayoni tufayli sodir bo‘lganligi 
uchun quyidagi xulosaga kelish mumkin. Galliy element atomlarini dastlabki 
material kremniyga diffuziya usulida legirlaganimizda 2360 sm
-1
chastotadagi 
yutulishning yo‘qolishi va surma element atomlarini dastlabki material kremniyga 
diffuziya usulida kiritganimizda ham 2360 sm
-1
chastotadagi yutulishning 
yo‘qolishi kremniyda shu spektrga mos keluvchi yutish markazlarini neytrallashiga 
olib keladi deb taxmin qilish mumkin. Lekin ikkala element ketma-ket diffuziya 
qilingan vaqtda 2360 sm
-1
dagi yutulishning saqlanib qolinishi galliy va surma 
atomlarini o‘zaro bir-birini neytrallab birikma hosil qiladi degan xulosani beradi. 
Ikki kirishmali atomlarning kremniy parametrlariga ta’siri va uning funksional 
imkoniyatlarini oshirish maqsadida ilmiy izlanishlar olib borilmoqda.
IV 
II 
I 
III 

---