Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
330 
СЕКЦИЯ 5. ДАТЧИКИ НА ОСНОВЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ 
 
ПОВЫШЕНИЕ ТОЧНОСТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК 
КРЕМНИЕВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ С 
ПРИМЕНЕНИЕМ АЛГОРИТМИЧЕСКИХ ФИЛЬТРОВ
ОЦЕНИВАНИЯ С УЧЕТОМ АПРИОРНОЙ И
АПОСТЕРИОРНОЙ ДИСПЕРСИИ
 
1
Рахманов А.Т., 
2
Рахматов А.З., 
3
Кузнецов С.Ф.
 
1
Ташкентский государственный технический университет имени 
И.Каримова, Ташкент, Узбекистан,
 
[e-mail]
.

2
Открытое акционерное общество «Фотон», Ташкент, Узбекистан 
3
Общество с ограниченной ответственностью "ALPHA SMART 
STANDART", Ташкент,
Узбекистан, [e-mail]

 
Аннотация
. Изучены точностные характеристики кремниевых
преобразователей температуры и разработан алгоритмический фильтр 
оценивания выходных сигналов с учетом априорной и апостериорной 
дисперсии. Установлено, что уравнение (10) определяет алгоритм 
формирования 
оптимальной 
оценки, 
а 
уравнение 
(11)-эволюцию 
апостериорной дисперсии и являются уравнениями фильтра оценивания 
кремниевых преобразователей температуры.
 
Ключевые слова:
кремний, фильтр, температура, априорная и 
апостериорная дисперсия, статические и динамические погрешности, 
преобразователь.
В мире на сегодня в интенсивно развивающемся направлении физики 
полупроводников большое внимание уделяется одному из перспективных 
направлений 
разработке полупроводниковых 
преобразователей 
для 
диагностики параметров сред. В этом аспекте одной из важных задач 
является разработка преобразователей температуры различных сред с 
улучшенными 
функциональными 
характеристиками 
на 
основе 
модифицированных полупроводников с наночастицами. 
На сегодня в мире особое внимание уделяется исследованию 
взаимосвязанных с температурой параметров полупроводниковых нанома-
териалов. В этом направлении целевые исследования проводятся в том числе, 
в следующих направлениях: получение нанопреобразователей высокой 
точности с использованием легирования полупроводниковых материалов, 
разработка эффективного метода введение примесных атомов в 

---