Bipolyar tranzistorlar elektron kaliti

2.3.3-rasm.


Hisoblar ST0.Y = 1,5...2,0 qiym atlar optimal
bo'lishiniko‘rsatdi.
K o‘rib o ‘tilgan sodda kalit sxemasida ВТ ish rejimi bilan bog'liq
b o ‘lgan k atta inersiyalikka ega. T ra n zisto r t o ‘y in ish rejim iga
o ‘tayotganda bazada ko‘p sonli noasosiy zaryad tashuvchilarning
to ‘planishi uchun vaqt talab qilinadi. Tranzistor to'yinish rejimidan
berk rejimga o ‘tayotganda esa bu zaryad tashuvchilarning to'planishi
va, ayniqsa, ularning bazadan chiqarib yuborilishi tabiatan juda sekin
kechadigan jarayon.
Berilgan / B7-0Tqiymatida noasosiy zaryad tashuvchilarni bazadan
chiqarib yuborish vaqtini kamaytirish maqsadida nochiziqli TAli kalit
q o ‘llaniladi. U nda tranzistor aktiv rejim bilan to ‘yinish rejim i
chegarasidi.BTning to‘g‘ri siljigan KO‘ni shuntlovchi Shottki diodi yordamidanochiziqli TA amalga oshiriladi. Tranzistor berk bo‘lganda, kollektomingpotensiali bazaga nisbatan musbat bo‘ladi, demak diod teskari ulanganbo'ladi va kalit ishiga ta’sir ko‘rsatmaydi. Kalit ulanganda kollektor
potensiali bazaga nisbatan kamayadi, diod ochiladi va undan kirish tokining
bir qismi oqib o‘tadi, ya’ni tranzistorning baza toki Irto.yqiymatiga
tengligicha qoladi. Tranzistor aktiv rejim bilan to'yinish rejimi chegarasida
ishlaydi. Bazada zaryad tashuvchilar to‘planishi sodir bo lmaydi, natijada


2.3.4-rasm.
kalit ulanishidagi noasosiy zaryad tashuvchilami bazadan chiqarib yuborish
vaqti nolga teng bo‘ladi. Mos ravishda, kalit uzilishida ortiqcha
zaryadlami chiqarib yuborish bosqichi mavjud bo‘lmaydi.
Lekin, bu holat, ochiq dioddagi kuchlanish pasayishi ochiq KO‘dagi
kuchlanish pasayishidan kichik bo'lgandagina haqiqiydir. Shuning uchun
TA hosil qilish uchun Shottki diodi qo‘llaniladi. Shottki diodining
ochiq holatdagi kuchlanish pasayishi UDSH = 0,3 V ga teng bo‘lib,
ochiq kremniyli o ‘tishdagi kuchlanish pasayishi UKB = 0,7 V dan
kichikdir.
Bundan tashqari, to‘g‘ri kuchlanish UKB= 0,3 V ga teng bo‘lganda
tranzistor berk hisoblanganligi uchun, rezistor RB ga bo‘lgan talab
ham yo‘qoladi.
TA zanjirida yagona texnologik bosqichda hosil qilingan kremniyli
tranzistor va Shottki diodi kombinatsiyasi asosida yaratilgan Shottki
barerli tranzistor nomida olingan tranzistor qo‘llanilgan
bo‘lib, uning keltirilgan.
3-BOB.HISOBLASH QISMI
1-UMUMUY EMITTET.
2-UMUMIY KOLLEKTIR ULASH.
3-UMUMIY BAZA ULASH. BIPOLYAR TRANZISTOTRNING VOLT-AMPER XARAKERISTIKASINI O’RGANISH


Bipolyar (biqutbiy) tranzistor deb ikkita oʼzaro taʼsirlashuvchi p-n oʼtishdantashkiltopganyarimoʼtkazgichliasbobgaaytiladi. Tranzistorlartuzilishivaishlashprintsipigaqarabbipolyarvamaydontranzistorlarigaboʼlinadi. Bipolyartrazistorningishlashi r-n oʼtishhodisasiga, maydontranzistorlariningishlashiesabirturdagioʼtkazuvchanlikkaegaboʼlganyarimoʼtkazgichdagitoktashuvchilarningelektrmaydoniyordamidaboshqarishgaasoslangan.
Bipolyartranzistorlarstrukturasigaqarab n-p-n va p-n-p tiplitranzistorlargaboʼlinadi. 1.AvaB rasmdamazkurtranzistorlarningtuzilishivasxemadabelgilanishikoʼrsatilg an.
n-p-n va p-n-p tranzistorlarniishlashprintsipibirxilboʼlib, faqatsxemagaulangandamanbaqutblarialmashtirilibulanadi. p-n-p tranzistordaasosiytoktashuvchilarkovaklar,n-p-n tranzistorlardaesaelektronlarhisoblanadi.
Tranzistorlarradiosxemalardaishlatilgandauningelektrodla-ridanbirizanjirningkirishvachiqishiuchunumumiyboʼlgansimgakorpusgaulanganboʼladi. Shunga koʼratranzistorlarninguchxilulanishsxemasimavjud:

3.1-rasm.


1.AvaB rasmda. Bipolyartranzistorlarningtuzilishi: a) toʼgʼritranzistor, b)teskaritranzistor
1. Umumiybazaliulanishsxemasi.-UB;
2. Umumiyemitterliulanishsxemasi.-UE;
3. Umumiykollektorliulanishsxemasi.-UK.
UB sxematranzistorlarningxususiyatlarinitekshirishdaqulayhisoblanadi. Shuninguchuntranzistorlarningxarakteristikalarikoʼpinchashusxemaasosidatekshiriladivaqolgan 2 ta ulanishsxemasigatadbiqetiladi. 1.2-rasmda tranzistorniuchtaulanishsxemasikoʼrsatilgan.