Bipolyar tranzistorlar elektron kaliti

azizi numanov—n o ‘tishIar xizm at qiladi.
Integral rezistorlar. Integral rezistorlar tranzistorlarning baza yoki
em itter sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi.
Rezistor qarshiligi berk holatdagi p —n o ‘tish chegarasi bilan cheklangan
qatlam ning hajm iy qarshiligidan iborat b o ‘ladi.
E m itter soha asosida qarshiligi 3-MOO O m b o ‘lgan kichik qarshilikli
rezisto rlar hosil q ilin ad i, chunki e m itte r q atlam n in g so lish tirm a
qarshiligi kichik b o ‘ladi.
K atta qarshilikli rezistorlar nisbatan katta solishtirm a qarshilikka
ega baza qatlam da tayyorlanadi. B unday rezistorlarning m aksim al
qarshiligi 200-^300 kOm bo‘ladi.
Integral kondensatorlar. Integral kondensatorlar hosil qilish uchun
ixtiyoriy p —n o ‘tish: kollektor — asos, baza — kollektor, em itter —
baza, yashirin n+ — qatlam — izolatsiyalovchi p — soha ishlatilishi
m um kin. Teskari siljitilgan p -n o ‘tishning b arer sig‘imi berilayotgan
kuchlanishga bog‘liq b o ‘ladi. K o‘p hollarda kollektor o 'tish sig‘imi
ishlatiladi.Intergal diodlar. Integral diodlar integral tranzistor asosida hosil
qilinadi. T ranzistorning istalgan p —n o ‘tishi diod hosil qilish uchun
ishlatilishi m um kin. K o‘p hollarda baza-em itter o ‘tishi, kollektor baza
bilan tutashtirilgan holda (UKB—0) yoki kollektor zanjiri uzilgan holda
(IK= 0) b az a-e m itter o ‘tish ishlatiladi. B unday diodlarning ochiq
holatdan berk holatga o ‘tish vaqti eng kichik b o ‘ladi.
IM S tayyorlashda y arim o‘tkazgich asosning bir tom oniga ishlov
beriladi, hosil qilingan elem entlarning chiqish elektrodlari plastina
sirtida bitta tekislikda joylashadi. Shuning uchun “planar texnologiya”
deb nom berilgan.
Y arim o‘tkazgich IM Slarni tayyorlashda operatsiyalar ketm a-ketligi
m ikrosxem ada elem entlarni elektr jihatdan izolatsiyalash usullari bilan
b elg ilan ad i: elem entlarni teskari siljitilgan p —n o‘tishlar bilan
izolatsiyalash; dielektrik (S i0 2 qatlam) yordamida izolatsiyalash. Shu
m unosabat bilan yarim o‘tkazgich IM S lar tayyorlashning ikkita asosiy
jarayoni:
a) elem entlarni p —n o ‘tish bilan izolatsiyalovchi planar-epitaksial
texnologiya;
b) dielektrik q atlam S iO , y o rd am id a izolatsiyalovchi p lan arepitaksial texnologiya (E P IC — texnologiya) mavjud.
Planar-epitaksial texnologiya. Planar-epitaksial texnologiya asosida
to 'rtta elem ent (kondensator С , diod D, tranzistor T va rezistor R)
dan tashkil topgan (7.2-rasm ) sodda IM Sni tayyorlashda texnologik
operatsiyalar ketm a-ketligini ko‘rib chiqam iz.
IM S tayyorlash uchun p — o ‘tkazuvchanlikka ega, qalinligi 0,2-^0,4
m m , b o ‘lgan krem niy asosdan foydalaniladi (7.3-rasm ).
Bunday asosda elem entlari soni m ingtagacha yoki yuzlarcha bo‘lgan
o ‘rta va yuqori integratsiya darajali m ikrosxem alar bir vaqtda hosil
qilinadi (har bir kvadratda bir xil IM Slar joylashadi).
Asos sirtida term ik oksidlash yo‘li bilan qalinligi 0,5-^ 1 m km
b o ‘lg an S i 0 2 q a tla m h o sil q ilin a d i. S h u n d a n s o ‘ng b irin c h i
fotolitografiya oksid qatlam da “d arch a” lar ochish uchun o ‘tkaziladi.
D archalar orqali 1-^2 m km qalinlikka d onor kiritm alar (surm a yoki
m arg u m u sh ) diffuziya q ilin a d i. N a tijad a b o ‘lg‘usi tra n z isto rla r
kollektorlari ostida elektr tokini yaxshi o ‘tkazuvchi n+ — soha hosil
bo'ladi. U shbu qatlam yashirin n+ — qatlam (ch o ‘ntak) deb ataladi.
U kollektor qarshiligini kam aytiradi, natijada tranzistor tezkorligi
ortadi, kollektor esa ikki qatlam li n+— n bo‘lib qoladi.