K atta qarshilikli rezistorlar nisbatan katta solishtirm a qarshilikka ega baza qatlam da tayyorlanadi. B unday rezistorlarning m aksim al qarshiligi 200-^300 kOm bo‘ladi. Integral kondensatorlar. Integral kondensatorlar hosil qilish uchun ixtiyoriy p —n o ‘tish: kollektor — asos, baza — kollektor, em itter — baza, yashirin n+ — qatlam — izolatsiyalovchi p — soha ishlatilishi m um kin. Teskari siljitilgan p -n o ‘tishning b arer sig‘imi berilayotgan kuchlanishga bog‘liq b o ‘ladi. K o‘p hollarda kollektor o 'tish sig‘imi ishlatiladi.Intergal diodlar. Integral diodlar integral tranzistor asosida hosil qilinadi. T ranzistorning istalgan p —n o ‘tishi diod hosil qilish uchun ishlatilishi m um kin. K o‘p hollarda baza-em itter o ‘tishi, kollektor baza bilan tutashtirilgan holda (UKB—0) yoki kollektor zanjiri uzilgan holda (IK= 0) b az a-e m itter o ‘tish ishlatiladi. B unday diodlarning ochiq holatdan berk holatga o ‘tish vaqti eng kichik b o ‘ladi. IM S tayyorlashda y arim o‘tkazgich asosning bir tom oniga ishlov beriladi, hosil qilingan elem entlarning chiqish elektrodlari plastina sirtida bitta tekislikda joylashadi. Shuning uchun “planar texnologiya” deb nom berilgan. Y arim o‘tkazgich IM Slarni tayyorlashda operatsiyalar ketm a-ketligi m ikrosxem ada elem entlarni elektr jihatdan izolatsiyalash usullari bilan b elg ilan ad i: elem entlarni teskari siljitilgan p —n o‘tishlar bilan izolatsiyalash; dielektrik (S i0 2 qatlam) yordamida izolatsiyalash. Shu m unosabat bilan yarim o‘tkazgich IM S lar tayyorlashning ikkita asosiy jarayoni: a) elem entlarni p —n o ‘tish bilan izolatsiyalovchi planar-epitaksial texnologiya; b) dielektrik q atlam S iO , y o rd am id a izolatsiyalovchi p lan arepitaksial texnologiya (E P IC — texnologiya) mavjud. Planar-epitaksial texnologiya. Planar-epitaksial texnologiya asosida to 'rtta elem ent (kondensator С , diod D, tranzistor T va rezistor R) dan tashkil topgan (7.2-rasm ) sodda IM Sni tayyorlashda texnologik operatsiyalar ketm a-ketligini ko‘rib chiqam iz. IM S tayyorlash uchun p — o ‘tkazuvchanlikka ega, qalinligi 0,2-^0,4 m m , b o ‘lgan krem niy asosdan foydalaniladi (7.3-rasm ). Bunday asosda elem entlari soni m ingtagacha yoki yuzlarcha bo‘lgan o ‘rta va yuqori integratsiya darajali m ikrosxem alar bir vaqtda hosil qilinadi (har bir kvadratda bir xil IM Slar joylashadi). Asos sirtida term ik oksidlash yo‘li bilan qalinligi 0,5-^ 1 m km b o ‘lg an S i 0 2 q a tla m h o sil q ilin a d i. S h u n d a n s o ‘ng b irin c h i fotolitografiya oksid qatlam da “d arch a” lar ochish uchun o ‘tkaziladi. D archalar orqali 1-^2 m km qalinlikka d onor kiritm alar (surm a yoki m arg u m u sh ) diffuziya q ilin a d i. N a tijad a b o ‘lg‘usi tra n z isto rla r kollektorlari ostida elektr tokini yaxshi o ‘tkazuvchi n+ — soha hosil bo'ladi. U shbu qatlam yashirin n+ — qatlam (ch o ‘ntak) deb ataladi. U kollektor qarshiligini kam aytiradi, natijada tranzistor tezkorligi ortadi, kollektor esa ikki qatlam li n+— n bo‘lib qoladi.
2.1-rasm.
S hundan keyin krem niy oksidi yem iriladi, asos sirtiga qalinligi 8-r-10 m km ni tashkil etuvchi n — turli epitaksial qatlam o ‘stiriladi va ep itak sial q atlam sirtid a oksid q atlam hosil q ilin a d i. Ik k in ch i fotolitografiya yordam ida oksid q atlam d a ajratu v ch i diffuziyani o'tkazish uchun “ d arch a”lar ochiladi. A kseptor kiritm alarni (bor) “d arch a”lar orqali qatlam oxirigacha diffuziya qilib to ‘rtta n - soha (sxemadagi elem entlar soniga mos) hosil qilinadi. Bu n —so h alarb irbiridan p —n o ‘tishlar yordam ida izolatsiyalangan b o 'lad i. Ushbusohalarning biri tran zistorn in g k o llek to ri b o ‘lib x izm at qiladi.Tranzistorning bazasi, kondensator, diod va rezistor hosil qilish uchunbir-biridan izolatsiyalangan n —sohalarga akseptor kiritm alar diffuziya si