Bipolyar tranzistorlar elektron kaliti

vaqti nolga teng bo‘ladi. Mos ravishda, kalit uzilishida ortiqcha
zaryadlami chiqarib yuborish bosqichi mavjud bo‘lmaydi.
Lekin, bu holat, ochiq dioddagi kuchlanish pasayishi ochiq KO‘dagi
kuchlanish pasayishidan kichik bo'lgandagina haqiqiydir. Shuning uchun
TA hosil qilish uchun Shottki diodi qo‘llaniladi. Shottki diodining
ochiq holatdagi kuchlanish pasayishi UDSH = 0,3 V ga teng bo‘lib,
ochiq kremniyli o ‘tishdagi kuchlanish pasayishi UKB = 0,7 V dan
kichikdir.
Bundan tashqari, to‘g‘ri kuchlanish UKB= 0,3 V ga teng bo‘lganda
tranzistor berk hisoblanganligi uchun, rezistor RB ga bo‘lgan talab
ham yo‘qoladi.
TA zanjirida yagona texnologik bosqichda hosil qilingan kremniyli
tranzistor va Shottki diodi kombinatsiyasi asosida yaratilgan Shottki
barerli tranzistor nomida olingan tranzistor qo‘llanilgan
bo‘lib, uning keltirilgan.
3-BOB.HISOBLASH QISMI
1-UMUMUY EMITTET.
2-UMUMIY KOLLEKTIR ULASH.
3-UMUMIY BAZA ULASH. BIPOLYAR TRANZISTOTRNING VOLT-AMPER XARAKERISTIKASINI O’RGANISH


Bipolyar (biqutbiy) tranzistor deb ikkita oʼzaro taʼsirlashuvchi p-n oʼtishdantashkiltopganyarimoʼtkazgichliasbobgaaytiladi. Tranzistorlartuzilishivaishlashprintsipigaqarabbipolyarvamaydontranzistorlarigaboʼlinadi. Bipolyartrazistorningishlashi r-n oʼtishhodisasiga, maydontranzistorlariningishlashiesabirturdagioʼtkazuvchanlikkaegaboʼlganyarimoʼtkazgichdagitoktashuvchilarningelektrmaydoniyordamidaboshqarishgaasoslangan.
Bipolyartranzistorlarstrukturasigaqarab n-p-n va p-n-p tiplitranzistorlargaboʼlinadi. 1.AvaB rasmdamazkurtranzistorlarningtuzilishivasxemadabelgilanishikoʼrsatilg an.
n-p-n va p-n-p tranzistorlarniishlashprintsipibirxilboʼlib, faqatsxemagaulangandamanbaqutblarialmashtirilibulanadi. p-n-p tranzistordaasosiytoktashuvchilarkovaklar,n-p-n tranzistorlardaesaelektronlarhisoblanadi.
Tranzistorlarradiosxemalardaishlatilgandauningelektrodla-ridanbirizanjirningkirishvachiqishiuchunumumiyboʼlgansimgakorpusgaulanganboʼladi. Shunga koʼratranzistorlarninguchxilulanishsxemasimavjud:
3.1-rasm.


1.AvaB rasmda. Bipolyartranzistorlarningtuzilishi: a) toʼgʼritranzistor, b)teskaritranzistor
1. Umumiybazaliulanishsxemasi.-UB;
2. Umumiyemitterliulanishsxemasi.-UE;
3. Umumiykollektorliulanishsxemasi.-UK.
UB sxematranzistorlarningxususiyatlarinitekshirishdaqulayhisoblanadi. Shuninguchuntranzistorlarningxarakteristikalarikoʼpinchashusxemaasosidatekshiriladivaqolgan 2 ta ulanishsxemasigatadbiqetiladi. 1.2-rasmda tranzistorniuchtaulanishsxemasikoʼrsatilgan.
3.2-rasm.
Tranzistorni uchta ulanish sxemasi
UB sxemasiuchunkirishstatikxarakteristikasiboʼlib UKB = const boʼlgandagi IE= f (UEB) bogʼliqlik, UE sxemasiuchunesa UKE = const boʼlgandagi IB=f(UBE) bogʼliqlikhisoblanadi. Kirishxarakteristikalari- ningumumiyxarakteriodatdatoʼgʼriyoʼnalishdaulangan p - n bilananiqlanadi. Shu sabablitashqikoʼrinishigakoʼrakirishxarakteristiklarieksponentsialxaraktergaega .
3.3-rasm.
1.Multisim dasturidaquyidagisxemayigʼamiz.
3.4-rasm.
Umumiy baza sxemasi bilan ulangan
p-n-p bipolyartranzistorningkirishvolt-amperxarakteristikalarinioʼrganishsxemasi.
2.Multisim dasturi kutubxonasidantranzistorturitanlabolamiz.
3.Ukbkuchlanishininguchta har xildoimiyqiymatidaIevaUebkattaliklarqiymatlarihisoblansinvaquyidagijadvallargakiritamiz
4.Ukb=const boʼlgandaIe=f(Ueb) bogʼliqlikninggrafiklariUkbninguchta har xildoimiykattaliklaridachiziamiz6.
Иб Укв
Уэб =0
Иб УКВ
Уэб =


Иб Укв
Уэб =


Tranzistorkirishxarakteristikalariniostsillografekranidabevositakoʼrishuchun 6.4- rasmdakeltirilgansxemani Multisim dasturidayigʼamiz.