Bipolyar tranzistorlar elektron kaliti

kuchlanish impulslarini o‘zgarishi bilan ta ’m inlanadi (katta signal
rejim. Shu sababli kalitning statik param etrlari
keltirilgan grafo — analitik usulni qo‘llash yordamida aniqlanadi. Buning
uchun kalitda qoMlanilayotgan tranzistorning chiqish
va kirish xarakteristikalari kerak bo‘ladi.
Chiqish xarakteristikalar oilasida В nuqta (bu yerda UKE= £ ) va
A nuqta (bu yerda IK - E K / R K) larni tutashtirib AB yuklam a
chizig‘ini o‘tkazamiz. U nda D nuqta to‘yinish chegarasini beradi, С nuqta esa UKB — 0 boiganda boshlanadigan berk rejim chegarasini
beradi.
Aytilganlardan kelib chiqqan holda, kalit rejimda ishlash uchun
tranzistorli kaskad ishchi nuqtasi yoki D nuqtadan chaproqda, yoki С
nuqtadan o ‘ngroqda joylashishi kerak. Bu nuqtalar oralig‘ida kaskad
tranzistorning to ‘yinish rejimidan berk rejimga o‘tish holatida, yoki
aksincha bo‘ladi. Tranzistor bu holatda qanchalik kam vaqt tursa,
kalitning tezkorligi shuncha yuqori bo‘ladi. 0 ‘tish holatlari noasosiy
zaryad tashuvchilar bazadan chiqarib yuborish vaqti va barer sig‘imning
qayta zaryadlanish jarayonlari bilan aniqlanadi.
Statik rejimda qarshilikning berilgan qiymatlarida baza tokining
UKlRkuchlanishiga bog‘liqligini kirish xarakteristikasi
yordam ida aniqlash mumkin. Buning uchun EF yuklama chizig‘ini
o'tkazish kerak. E nuqta UBE = UKIR, F nuqta esa — Ukir/R b qiymati
bilan aniqlanadi. Kirish xarakteristikasi bilan yuklam a chizig‘i
kesishgan К nuqta baza toki va UBEkuchlanishining ishchi qiymatlarini
aniqlaydi. UKIR ning vaqt bo'yicha o‘zgarishi EF to ‘g‘ri chiziqni
parallel siljishiga va mos ravishda К nuqtaning siljishiga olib keladi
(shtrix chiziqlar).
D nuqta bilan aniqlanadigan to ‘yinish rejimiga o‘tish uchun, kirish
toki IBni bazaning to'yinish toki deb ataluvchi IBr0Tqiym atgacha
oshirish kerak. Bu vaqtda unga mos keluvchi kollektor toki kollektorning
to‘yinish toki IKT0.y, kuchlanish esa — to'yinish kuchlanishi UKET0.yyoki
qoldiq kuchlanish и т: тог = UQOl = EM - I K m.yRh-deb ataladi.
2.3.3-rasm.


Hisoblar ST0.Y = 1,5...2,0 qiym atlar optimal
bo'lishiniko‘rsatdi.
K o‘rib o ‘tilgan sodda kalit sxemasida ВТ ish rejimi bilan bog'liq
b o ‘lgan k atta inersiyalikka ega. T ra n zisto r t o ‘y in ish rejim iga
o ‘tayotganda bazada ko‘p sonli noasosiy zaryad tashuvchilarning
to ‘planishi uchun vaqt talab qilinadi. Tranzistor to'yinish rejimidan
berk rejimga o ‘tayotganda esa bu zaryad tashuvchilarning to'planishi
va, ayniqsa, ularning bazadan chiqarib yuborilishi tabiatan juda sekin
kechadigan jarayon.
Berilgan / B7-0Tqiymatida noasosiy zaryad tashuvchilarni bazadan
chiqarib yuborish vaqtini kamaytirish maqsadida nochiziqli TAli kalit
q o ‘llaniladi. U nda tranzistor aktiv rejim bilan to ‘yinish rejim i
chegarasidi.BTning to‘g‘ri siljigan KO‘ni shuntlovchi Shottki diodi yordamidanochiziqli TA amalga oshiriladi. Tranzistor berk bo‘lganda, kollektomingpotensiali bazaga nisbatan musbat bo‘ladi, demak diod teskari ulanganbo'ladi va kalit ishiga ta’sir ko‘rsatmaydi. Kalit ulanganda kollektor
potensiali bazaga nisbatan kamayadi, diod ochiladi va undan kirish tokining
bir qismi oqib o‘tadi, ya’ni tranzistorning baza toki Irto.yqiymatiga
tengligicha qoladi. Tranzistor aktiv rejim bilan to'yinish rejimi chegarasida
ishlaydi. Bazada zaryad tashuvchilar to‘planishi sodir bo lmaydi, natijada
2.3.4-rasm.
kalit ulanishidagi noasosiy zaryad tashuvchilami bazadan chiqarib yuborish