Bipolyar tranzistorlar elektron kaliti

MUNDAREJA
1-KIRISH
2-BOB.NAZARIY QISM.
2;1BIPOLYAR TRANZITORLAR ASOSIDA INTEGRAL MIKROSXEMALARNI TAYYORLASH..
2;2.BIPOLYAR TRANZISTORNING ULANISH SXEMALARI.
2;3.BIPOLYARTRANZISTORNING VA CHASTOTA XUSUSIYAT
BIPOLYAR TRANZISTORLAR ELEKTRON KALITI
3-BOB.HISOBLASH QISMI
1-UMUMUY EMITTET.2-UMUMIY KOLLEKTIR ULASH.3-UMUMIY BAZA ULASH.

2-BOB.NAZARIY QISIM.


2;1.BIPOLYAR TRANZITORLAR ASOSIDA INTEGRAL MIKROSXEMALARNI TAYYORLASH.


Bipolyar tranzistorlar asosida integral mikrosexemalrni tayyorlash (tra n z is to rla r, d io d la r, re zisto rlar,kondensatorlar) asosini n+ - p — n tuzilm a tashkil etadi.IM S tayyorlash uchun planar, planar —epitaksial texnologiyalardan
foydalaniladi. P lanar texnologiyada elem entlar p — yoki n — turli
yarim o'tkazgich asosda hosil qilinadi. Planar-epitaksial texnologiyasida
elem entlar asos sirtiga o'stirilgan epitaksial qatlam da hosil qilinadi.
Texnologiya asosni (epitaksial qatlam ni) navbatm a-navbat d onor
va akseptor kiritm alar bilan legirlashga asoslanadi, natijada sirt tagida
turli o ‘tkazuvchanlikka ega yupqa qatlam lar va qatlam lar chegarasida
p —n o ‘tishlar hosil b o ‘ladi. Alohida qatlam lar rezistorlar sifatida, p —
n o 'tis h la r esa diod va tran z isto r tu zilm alari sifatida ishlatiladi.
K ondensatorlar sifatida teskari siljitilgan p MUNDAREJA
1-KIRISH
2-BOB.NAZARIY QISM.
2;1BIPOLYAR TRANZITORLAR ASOSIDA INTEGRAL MIKROSXEMALARNI TAYYORLASH..
2;2.BIPOLYAR TRANZISTORNING ULANISH SXEMALARI.
2;3.BIPOLYARTRANZISTORNING VA CHASTOTA XUSUSIYAT
BIPOLYAR TRANZISTORLAR ELEKTRON KALITI
3-BOB.HISOBLASH QISMI
1-UMUMUY EMITTET.2-UMUMIY KOLLEKTIR ULASH.3-UMUMIY BAZA ULASH.

2-BOB.NAZARIY QISIM.


2;1.BIPOLYAR TRANZITORLAR ASOSIDA INTEGRAL MIKROSXEMALARNI TAYYORLASH.


Bipolyar tranzistorlar asosida integral mikrosexemalrni tayyorlash (tra n z is to rla r, d io d la r, re zisto rlar,kondensatorlar) asosini n+ - p — n tuzilm a tashkil etadi.IM S tayyorlash uchun planar, planar —epitaksial texnologiyalardan
foydalaniladi. P lanar texnologiyada elem entlar p — yoki n — turli
yarim o'tkazgich asosda hosil qilinadi. Planar-epitaksial texnologiyasida
elem entlar asos sirtiga o'stirilgan epitaksial qatlam da hosil qilinadi.
Texnologiya asosni (epitaksial qatlam ni) navbatm a-navbat d onor
va akseptor kiritm alar bilan legirlashga asoslanadi, natijada sirt tagida
turli o ‘tkazuvchanlikka ega yupqa qatlam lar va qatlam lar chegarasida
p —n o ‘tishlar hosil b o ‘ladi. Alohida qatlam lar rezistorlar sifatida, p —
n o 'tis h la r esa diod va tran z isto r tu zilm alari sifatida ishlatiladi.
K ondensatorlar sifatida teskari siljitilgan p —n o ‘tishIar xizm at qiladi.
Integral rezistorlar. Integral rezistorlar tranzistorlarning baza yoki
em itter sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi.
Rezistor qarshiligi berk holatdagi p —n o ‘tish chegarasi bilan cheklangan
qatlam ning hajm iy qarshiligidan iborat b o ‘ladi.
E m itter soha asosida qarshiligi 3-MOO O m b o ‘lgan kichik qarshilikli
rezisto rlar hosil q ilin ad i, chunki e m itte r q atlam n in g so lish tirm a
qarshiligi kichik b o ‘ladi.