Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorli almashtirish sxemalari

Shunday qilib, tranzistorda uchta oqim oqadi: emitent, kollektor va tayanch oqimi.
Taglikning chiqishi bo'lgan simda emitent va kollektor oqimlari qarama-qarshi yo'naltirilgan. Shuning uchun asosiy oqim emitent va kollektor oqimlari orasidagi farqga teng: IB = IE - IK.
N-p-n tranzistoridagi fizik jarayonlar p-n-p tranzistoridagi jarayonlarga o'xshab davom etadi.
Umumiy emitent oqimi IE emitent tomonidan AOK qilingan asosiy zaryad tashuvchilar soniga qarab belgilanadi. Ushbu zaryad tashuvchilarning asosiy qismi kollektorga etib borib, Ik kollektor tokini hosil qiladi. Zaryad tashuvchilarning ahamiyatsiz qismi bazada rekombinatsiya qilinadi va IB oqimi hosil bo'ladi. Binobarin, emitent oqimi asosiy va kollektor oqimlariga bo'linadi, ya'ni. IE = IB + Ik.
Emitent oqimi - kirish oqimi, kollektor oqimi - chiqish. Chiqish oqimi kirish oqimining bir qismidir, ya'ni.
(4.1)
bu erda a - OB davri uchun oqim uzatish koeffitsienti;
Chiqish oqimi kirish oqimidan kichik bo'lgani uchun, koeffitsient a<1. Он показывает, какая часть инжектированных в базу носителей заряда достигает коллектора. Обычно величина a составляет 0,95¸0,995.
Umumiy emitrli zanjirda chiqish oqimi kollektor oqimi, kirish oqimi esa asosiy oqimdir. OE davri uchun joriy daromad:
(4.2) (4.3)
Natijada, OE davri uchun oqim kuchi o'nlab birliklarni tashkil etadi.
Transistorning chiqish oqimi kirish oqimiga bog'liq. Shuning uchun tranzistor oqim bilan boshqariladigan qurilmadir.
Emitentning ulanish voltajining o'zgarishi natijasida emitent oqimidagi o'zgarishlar to'liq kollektor zanjiriga o'tkazilib, kollektor oqimining o'zgarishiga olib keladi. Va beri Kollektor quvvat manbaining kuchlanishi Ee emitent quvvat manbaiga qaraganda ancha yuqori bo'lgani uchun, Pk kollektor pallasida iste'mol qilinadigan quvvat Re emitr zanjiridagi quvvatdan ancha yuqori bo'ladi. Shunday qilib, tranzistorning kollektor pallasida yuqori quvvatni emitent pallasida sarflangan kam quvvat bilan boshqarish mumkin, ya'ni. kuchning oshishi bor.