Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorli almashtirish sxemalari

R b1,R b2: Men holatlar. = 10 * Men b= 10 * 0,8 mA = 8,0 mA.
Keyin rezistorlarning umumiy qarshiligi
R b1 + R b2 = U i.p. / I holatlar.= 12V / 0.008A = 1500 ohm.
7. Emitentdagi kuchlanishni tinch holatda topaylik (signal yo'q). Transistor bosqichini hisoblashda quyidagilarni hisobga olish kerak: ishlaydigan tranzistorning asosiy emitent kuchlanishi 0,7 voltsdan oshmasligi kerak! Kirish signalisiz rejimdagi emitentdagi kuchlanish taxminan quyidagicha:
U e = I k0 * R e= 0,02 A * 27 Ohm = 0,54 V,
qayerda I k0 Transistorning tinch oqimi.
8. Bazadagi kuchlanishni aniqlang
U b = U e + U bs= 0,54V + 0,66V = 1,2V
Bu erda, kuchlanishni ajratuvchi formulasi orqali biz quyidagilarni topamiz:
R b2 = (R b1 + R b2) * U b / U i.p.= 1500 Ohm * 1,2 V / 12V = 150 Ohm R b1 = (R b1 + R b2) -R b2= 1500 Ohm - 150 Ohm = 1350 Ohm = 1,35 kΩ.
Qarshilik qatori bo'ylab, chunki qarshilik orqali R b1 asosiy oqim ham oqadi, biz qarshilikni pasayish yo'nalishi bo'yicha tanlaymiz: R b1= 1,3 kΩ.
9. Birlashtiruvchi kondensatorlar sahnaning kerakli chastota ta'siriga (tarmoqli kengligi) qarab tanlanadi. 1000 Hz gacha bo'lgan chastotalarda tranzistor bosqichlarining normal ishlashi uchun nominal qiymati kamida 5 mF bo'lgan kondensatorlarni tanlash kerak.
Past chastotalarda, sahnaning amplituda-chastota xarakteristikasi (AFC) blokirovka qiluvchi kondansatkichlarni sahnaning boshqa elementlari, shu jumladan qo'shni bosqichlarning elementlari orqali zaryad qilish vaqtiga bog'liq. Imkoniyat shunday bo'lishi kerakki, kondensatorlar zaryadlash uchun vaqt topolmaydilar. Transistor bosqichining kirish empedansi chiqish empedansiga qaraganda ancha katta. Past chastotali mintaqadagi kaskadning chastota reaktsiyasi vaqt sobitligi bilan belgilanadi t n = R ning * C ichida, qayerda R ichida = R e * h 21, C in- kaskadning kirish sig'imini ajratish. C chiqib tranzistor bosqichi, bu shunday C in keyingi kaskad va u xuddi shu tarzda hisoblanadi. Bosqichning pastki uzilish chastotasi (chastota javobining uzilish chastotasi) f n = 1 / t n... Yuqori sifatli kuchaytirish uchun tranzistorli bosqichni loyihalashda ushbu nisbatni tanlash kerak 1 / t n = 1 / (R ning * C ichida)<<="" н=""> Barcha kaskadlar uchun 30-100 marta. Bundan tashqari, kaskadlar qancha ko'p bo'lsa, shuncha katta farq bo'lishi kerak. O'zining kondensatoriga ega bo'lgan har bir bosqich o'zining chastotali ta'sir o'tkazuvchanligini qo'shadi. Odatda, 5,0 mF ajratuvchi sig'im etarli. Ammo Cout orqali so'nggi bosqich odatda past qarshilikli dinamik boshlar bilan yuklanadi, shuning uchun sig'im 500.0-2000.0 mF ga, ba'zan esa ko'proq oshiriladi.
Transistor bosqichining asosiy rejimini hisoblash kuchaytirgich bosqichining oldindan bajarilgan hisob-kitobi bilan bir xil tarzda amalga oshiriladi. Faqatgina farq shundaki, kalit rejimi tranzistorning ikkita holatini dam olish holatida qabul qiladi (signal yo'q). U yopiq (lekin qisqa emas) yoki ochiq (lekin haddan tashqari to'yingan emas). Bunday holda, "dam olish" ning ish nuqtalari I - V xarakteristikasida ko'rsatilgan A va C nuqtalaridan tashqarida. Transistor tranzistorni o'chirilgan holda yopiq bo'lishi kerak bo'lsa, qarshilikni oldindan ko'rsatilgan kaskadli o'chirib qo'yish kerak R b1... Agar tranzistorning tinch holatda ochiq bo'lishi talab etilsa, kaskad zanjiridagi qarshilikni oshirish kerak R b2 Hisoblangan qiymatdan 10 baravar ko'p, va ba'zi hollarda, uni o'chirib qo'yish mumkin.