Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorli almashtirish sxemalari

4-MAVZU. BIPOLAR TRANSISTORLARI
4.1 Dizayn va ishlash printsipi
Bipolyar tranzistor - bu elektr o'tkazuvchanligining o'zgaruvchan turlariga ega va quvvatni kuchaytirish uchun mos bo'lgan uchta mintaqadan tashkil topgan yarimo'tkazgichli qurilma.
Hozirgi vaqtda ishlab chiqarilgan bipolyar tranzistorlar quyidagi mezonlarga muvofiq tasniflanishi mumkin:
Materiallar bo'yicha: germaniy va kremniy;
Maydonlarning o'tkazuvchanligi turi bo'yicha: pnp va n-p-n turi;
Quvvat bilan: past (Pmax £ 0,3W), o'rtacha (Pmax £ 1,5W) va yuqori quvvat (Pmax> 1,5W);
Chastotasi bo'yicha: past chastotali, o'rta chastotali, yuqori chastotali va mikroto'lqinli pech.
Bipolyar tranzistorlarda oqim ikki turdagi zaryad tashuvchilarning harakati bilan aniqlanadi: elektronlar va teshiklar (yoki katta va kichik). Shuning uchun ularning nomi - bipolyar.
Hozirgi vaqtda faqat planar pn birikmalariga ega tranzistorlar ishlab chiqarilmoqda va foydalanilmoqda.
Planar bipolyar tranzistor qurilmasi sxematik ravishda shakl. 4.1.
Bu germaniy yoki kremniy plitasi bo'lib, unda har xil elektr o'tkazuvchanligi bo'lgan uchta mintaqa yaratiladi. N-p-n tipidagi tranzistorda o'rta mintaqa teshikka ega, tashqi mintaqalar esa elektron o'tkazuvchanlikka ega.
Pnp tipidagi tranzistorlar elektron, tashqi mintaqalari esa elektr o'tkazuvchanligi bilan o'rta mintaqaga ega.
Transistorning o'rta mintaqasi baza deb nomlanadi, bitta ekstremal mintaqa emitent, ikkinchisi esa kollektor. Shunday qilib, tranzistorda ikkita pn-birikma mavjud: emitent - emitent va tayanch o'rtasida, kollektor - baza va kollektor o'rtasida. Emitentning ulanish maydoni kollektorning tutashuv maydonidan kamroq.
Emitent - tranzistor mintaqasi, uning maqsadi zaryad tashuvchilarni bazaga quyishdir. Kollektor - bu bazadan zaryad tashuvchilarni olish maqsadi bo'lgan maydon. Ushbu mintaqa uchun kichik bo'lgan zaryad tashuvchilar emitent tomonidan kiritiladigan mintaqa bazadir.
Ko'pgina zaryad tashuvchilarning emitentdagi kontsentratsiyasi ko'pchilik zaryad tashuvchilarning bazadagi konsentratsiyasidan bir necha baravar yuqori va ularning kollektordagi konsentratsiyasi emitentdagi konsentratsiyadan bir oz pastroq. Shuning uchun emitentning o'tkazuvchanligi bazaning o'tkazuvchanligidan bir necha daraja kattaroqdir va kollektorning o'tkazuvchanligi emitentning o'tkazuvchanligidan bir oz pastroq.
Baza, emitent va kollektordan xulosalar chiqariladi. Kirish va chiqish davrlari uchun terminallarning qaysi biri keng tarqalganiga qarab, uchta tranzistorli kommutatsiya sxemasi ajratiladi: umumiy asos (OB), umumiy emitent (OE), umumiy kollektor (OK).
Kirish yoki boshqarish sxemasi tranzistorning ishlashini boshqarish uchun ishlatiladi. Chiqish yoki boshqariladigan sxemada kuchaytirilgan tebranishlar olinadi. Kuchaytirilgan tebranishlarning manbai kirish zanjiriga kiritilgan va yuk chiqish zanjiriga ulangan.