Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorli almashtirish sxemalari

Parametrlarning jismoniy ma'nosi:

OE bo'lgan sxema uchun koeffitsientlar E ko'rsatkichi bilan yoziladi: h11e, h12e, h21e, h22e.
Pasport ma'lumotlarida h21e = β, h21b = a ko'rsatilgan. Ushbu parametrlar tranzistorning sifatini tavsiflaydi. H21 qiymatini oshirish uchun taglik kengligini W kamaytirish yoki diffuziya uzunligini oshirish kerak, bu juda qiyin.

Kompozit tranzistorlar

H21 qiymatini oshirish uchun bipolyar tranzistorlar Darlington sxemasiga muvofiq ulanadi:

Bir xil xususiyatlarga ega bo'lgan kompozit tranzistorda VT1 bazasi emitent VT2 va DIe2 = -Ib1 ga ulangan. Ikkala tranzistorning kollektorlari ulangan va bu pin kompozit tranzistorning pinidir. VT2 bazasi ΔIb = ΔIb2 kompozit tranzistor bazasi rolini o'ynaydi va VT1 emitenti ΔIe = ΔI1 kompozit tranzistorining emitenti rolini o'ynaydi.
Darlington davri uchun gain joriy daromad uchun ifodani olamiz. Asosiy oqim dIb o'zgarishi va natijada kompozitsion tranzistorning kollektor oqimi dIc o'zgarishi o'rtasidagi munosabatni quyidagicha ifodalaylik:

Bipolyar tranzistorlar uchun oqim kuchi odatda bir necha o'ntani tashkil etganligi sababli (-1, -2 >> 1), kompozit tranzistorning umumiy kuchi har bir tranzistorning yutuqlari mahsuloti bilan aniqlanadi βΣ = -1 -2 va juda katta bo'lishi mumkin. kattaligida.
Keling, bunday tranzistorlarning ishlash rejimining xususiyatlarini ta'kidlaylik. VT2 Ie2 emitent oqimi VT1 dIb1 tayanch oqimi bo'lganligi sababli, VT2 tranzistor mikroelektr rejimida, VT1 tranzistor esa katta in'ektsiya rejimida ishlashi kerak, ularning emitent oqimlari 1-2 daraja farq qiladi. VT1 va VT2 bipolyar tranzistorlarining ishlash xususiyatlarini bunday maqbul bo'lmagan tanlov bilan, ularning har birida yuqori oqim qiymatlariga erishish mumkin emas. Shunga qaramay, β1, β2 ≈ 30 yutuqlari qiymatlari bilan ham gain umumiy daromad βΣ ≈ 1000 ga teng bo'ladi.
Kompozit tranzistorlarda daromadning yuqori qiymatlari faqat statistik rejimda amalga oshiriladi, shuning uchun kompozitsion tranzistorlar operatsion kuchaytirgichlarning kirish bosqichlarida keng qo'llaniladi. Yuqori chastotali davrlarda kompozit tranzistorlar endi bunday afzalliklarga ega emas, aksincha, oqim kuchaytirilishining kesish chastotasi ham, kompozit tranzistorlarning tezligi ham VT1, VT2 tranzistorlarining har biri uchun bir xil parametrlardan kam.