Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorli almashtirish sxemalari

Integratsiyalangan eshikli MIS tranzistorining texnologiyasi rasmda ko'rsatilgan:

MIS tranzistorini ishlab chiqaradigan asl yarimo'tkazgich substrat (terminal P) deb nomlanadi. Ikki og'ir aralashtirilgan mintaqa n + manba (I) va drenaj (C) deb nomlanadi. Darvozaning ostidagi substrat maydoni (G) ko'milgan kanal (n-kanal) deb nomlanadi.
Metall izolyator-yarimo'tkazgichli tuzilishga ega bo'lgan dala effektli tranzistorning ishlashi uchun fizik asos dala effekti hisoblanadi. Dala effekti shundaki, yarim elektr o'tkazgichning sirtga yaqin mintaqasidagi erkin zaryad tashuvchilarning kontsentratsiyasi tashqi elektr maydon ta'sirida o'zgaradi. MIS tuzilishga ega bo'lgan dala qurilmalarida tashqi maydon metall eshik elektrodida qo'llaniladigan kuchlanish tufayli yuzaga keladi. Amaldagi kuchlanishning belgisi va kattaligiga qarab kanalda kosmik zaryad mintaqasining (SCR) ikkita holati bo'lishi mumkin - boyitish, tükenme.
Tugatish rejimi salbiy Uz kuchlanishiga mos keladi, bunda kanaldagi elektronlar konsentratsiyasi pasayadi, bu esa drenaj oqimining pasayishiga olib keladi. Boyitish rejimi ijobiy Uzi kuchlanishiga va drenaj oqimining ko'payishiga mos keladi.
I - V xarakteristikasi rasmda ko'rsatilgan:

Induktiv (induktsiya qilingan) p-tipli kanalga ega bo'lgan MOS tranzistorining topologiyasi rasmda ko'rsatilgan:

Uzi = 0 bo'lsa, kanal yo'q va Ic = 0. Transistor faqat Uzi boyitish rejimida ishlashi mumkin< 0. Если отрицательное напряжение Uзи превысит пороговое Uзи.пор , то происходит формирование инверсионного канала. Изменяя величину напряжения на затворе Uзи в области выше порогового Uзи.пор , можно менять концентрацию свободных носителей в инверсионном канале и сопротивление канала. Источник напряжения в стоковой цепи Uси вызовет ток стока Iс .
I - V xarakteristikasi rasmda ko'rsatilgan:

MIS tranzistorlarida eshik yarimo'tkazgichdan SiO2 oksidi qatlami bilan ajralib turadi. Shuning uchun bunday tranzistorlarning kirish empedansi 1013 ... 1015 ohm tartibida.