Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorli almashtirish sxemalari


Emitent va kollektor oqimlarining o'sishi o'rtasidagi bog'liqlik oqim uzatish koeffitsienti bilan tavsiflanadi



Download 194,64 Kb.
bet12/30
Sana04.07.2022
Hajmi194,64 Kb.
#738462
1   ...   8   9   10   11   12   13   14   15   ...   30
Bog'liq
Bipolyar tranzistorlar

Emitent va kollektor oqimlarining o'sishi o'rtasidagi bog'liqlik oqim uzatish koeffitsienti bilan tavsiflanadi

Bipolyar tranzistorda sodir bo'ladigan jarayonlarni sifatli ko'rib chiqishdan kelib chiqadigan bo'lsak, oqim uzatish koeffitsienti har doim birdan kam. Zamonaviy bipolyar tranzistorlar uchun a = 0,9 ÷ 0,95
Ie-0 bo'lsa, tranzistorning kollektor oqimi:

Ko'rib chiqilgan kommutatsiya pallasida asosiy elektrod emitent va kollektor davrlari uchun keng tarqalgan. Bipolyar tranzistorni yoqish uchun bunday sxema umumiy tayanch davri, emitent davri esa kirish davri, kollektor davri esa chiqish davri deb ataladi. Biroq, bipolyar tranzistorni yoqish uchun bunday sxema juda kam qo'llaniladi.

Bipolyar tranzistorni yoqish uchun uchta sxema


Umumiy tayanch, umumiy emitent va umumiy kollektor bilan almashtirish sxemasi o'rtasida farq qilinadi. P-n-p tranzistorining sxemalari a, b, c rasmlarda ko'rsatilgan: Umumiy poydevorli sxemada (A-rasm) asosiy elektrod kirish va chiqish zanjirlari uchun keng tarqalgan, umumiy emitentli (B-rasm) pallada emitent keng tarqalgan, umumiy kollektorli pallada. (C-rasm), kollektor keng tarqalgan.
Rasmda ko'rsatilgan: E1 - kirish pallasining quvvat manbai, E2 - chiqish pallasining quvvat manbai, Uin - kuchaytirilgan signal manbai.
Kommutatsiya davri asosiy sifatida qabul qilingan bo'lib, unda kirish va chiqish davrlari uchun umumiy elektrod emitent (umumiy emitentli bipolyar tranzistorning o'tish davri) hisoblanadi. Bunday sxema uchun kirish davri baza-emitent o'tish joyidan o'tadi va unda asosiy oqim paydo bo'ladi:
Kirish zanjiridagi past tayanch oqim umumiy emitrli zanjirning keng qo'llanilishiga olib keldi.

Umumiy emitentli (OE) zanjirdagi bipolyar tranzistor


OE sxemasiga muvofiq ulangan tranzistorda tranzistorning kirish zanjiridagi oqim va kuchlanish o'rtasidagi bog'liqlik Ib = f1 (Ube) tranzistorning kirish yoki bazaviy oqim kuchlanish xarakteristikasi (VAC) deb nomlanadi. Kollektor oqimining Ik = f2 (Uke), Ib - const tayanch oqimining sobit qiymatlarida kollektor va emitent o'rtasidagi voltajga bog'liqligi tranzistorning chiqish (kollektor) xususiyatlarining oilasi deb ataladi.

Download 194,64 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   8   9   10   11   12   13   14   15   ...   30




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish