AllotropiyaAynan bir elementning xossalari va strukturalari tuzilishining turli ko’rinishida mavjudligi. Amorf modda

Fotoelementning temperatura xarakteristikasi Temperaturaning o’zgarishiga qarab fotoelement xususiyatlarining o’zgarishini ko’rsatuvchi xarakteristika. Temperatura ortishi bilan asosiy bo’lmagan tok tashuvchilar diffuziya masofasi ortadi, bu esa J_k.z – fototok ortishiga olib keladi. Lekin to’yinish tokining J_S eksponensial ortishi U_xx ning tezroq kamayib ketishiga olib keladi. Fotoelementdan olinayotgan quvvat.
Funksional mikroelektronika Yarim o’tkazgich ma-teriallar yoki ular aso-sidagi maxsus quril-malarda kuzatiladigan yangi fizik hodisa, ef-fektlar asosidagi, mu-rakkab sxematexnik qurilmalar funksiyasi-ni bajara oladigan od-diy priborlar guruhi.


G
Geterotuzilma Bir nechta geteroo’tishlar (ikki turli yarim o’tkazgichlar kontakti) majmuasi bo’lib, qatlamli yarim o’tkazgichli strukturalarda elektronlar va kovaklar uchun potensial o’ralar hosil qilishda hamda yarim o’tkaz gichli lazerlar va yorug’lik nurlan tiruvchi diodlarda foydalaniladi.
Gaz fazasidan epitaksiyaVakuumda gaz holatdagi atomlarning, taglik o’tkazish yo’li bilan olinadigan yupqa qatlam. Bunday qatlamlar monokristall yoki polikristall holatda bo’lishi mumkin. Kremniyda paragazoviy fazadan epitaksial qatlam o’stirish odatda shishasimon kvarsdan yasalgan reaktorda amalga oshiriladi
Gann generatori Kuchli elektr maydoni yordamida manfiy dif-ferensial qarshilik ho-sil qilish orqali o’ta yuqori chastotali teb-ranish olinadigan va kuchaytiriladigan ya-rim o’tkazgichli as-bob. GaAs va InP larda o’zgarmas kuch-lanishda o’ta yuqori chastotali elektromag-nit tebranishlarning generatsiyasini birin-chi bo’lib 1963 yilda amerikalik olim Dj. B. Gann kuzatgan. Shu sababli, Gann generatori deb ataladi.
Gann effekti Bir jinsli GaAs kris-tallining ikki tomoni-ga omik kontakt hosil qilingan kristallga U_пор dan kam bo’lgan o’zgarmas kuchlanish berilganda erkin elek-tronlarning hammasi “yen-gil” elektronlar bo’ladi va ular tok tashishda qatnashib eng katta tok kristall-dan oqadi. Kristall-ning kontakt sohasida turli nuqsonlar mav-judligi tufayli U_пор dan katta bo’lishi mumkin. Bu esa shu sohada “og’ir” elek-tronlar hosil bo’lishiga sabab bo’ladi. “Og’ir” elektronlar anodga to-mon sekin harakatla-nadi va manfiy zaryad sohasini hosil qiladi. “Yengil” elektronlar esa anod tomonga tezroq harakatlanadi. Natijada “og’ir” elek-tron paketining anod tomonida musbat zar-yad sohasi, elektron yetishmasligi tufayli, hosil bo’ladi.