Академия наук республики узбекистан

АСОСИЙ МАЗМУНИ 
 Кириш 
қисмида ўтказилган тадқиқотларнинг долзарблиги ва зарурати 
асосланган, тадқиқотнинг мақсади ва вазифалари, объект ва предметлари 
тавсифланган, республика фан ва технологиялари ривожланишининг устувор 
йўналишларига мослиги кўрсатилган, тадқиқотнинг илмий янгилиги ва 
амалий натижалари баён қилинган, олинган натижаларнинг илмий ва амалий 
аҳамияти очиб берилган, тадқиқот натижаларини амалиётга жорий қилиш ва
нашр этилган ишлар бўйича маълумотлар келтирилган. 
1.
Поликристалл кремний олишнинг моносиланли технологияси
 
Поликристалл кремнийни моносиландан ишлаб чиқариш истиқболли 
усул ҳисобланади. Моносилан оддий шароитда газ бўлиб, 
-112
о
С ҳароратда 
қайнайди. Моносилан 700
О
С ва ундан ортиқ ҳароратларда интенсив
парчаланиб, кремний ва водородга ажралади, бу юқори даражада тоза 
кремний олиш асоси бўлиб хизмат қилади.
Моносиланли технология анъанавий трихлорсиланли технологияга 
солиштирганда қатор афзалликларга эга: моносилан парчаланиш 
ҳароратининг пастлиги ва кам энергия сарфи; реакция маҳсулотларида 
олинаётган кремний тозалигини пасайтирувчи кимёвий агрессив 
агентларнинг йўқлиги; моносиланнинг физикавий ва кимёвий хоссаларида
бошқа бирикмаларга нисбатан
уни тозалашни самарали амалга ошириш 
имконини берувчи сезиларли фарқ мавжудлиги.
Бундан ташқари 
моносиланнинг ўзи ҳам ярим ўтказгич қурилмалари, айниқса, аморф кремний 
асосидаги қуёш элементлари тайёрлаш учун зарур товар маҳсулоти 
ҳисобланади. Бироқ бу технология ҳам ўз камчиликларига эга. Моносилан 
ишлаб чиқаришнинг анъанавий технологиялари анчагина мураккаб
бўлиб, бу
электроника саноати учун зарур юқори тозаликдаги моносиланнинг нархи 
юқорилигининг асосий сабабидир. Моносиланнинг алкоксисиланлар 
синтезига асосланган усули поликристалл кремний ишлаб чиқаришнинг 
анъанавий трихлорсиланли технологияларини ўрнини босувчи истиқболли 
технологиялардан бири ҳисобланади.
1.1.
 
Алкоксисиланлар синтези технологияси
 
Металлургик кремний ва этил спиртининг бевосита реакцияси 
катализатор ёрдамида қўйидаги схема бўйича амалга ошади:
Si + (4-n)C
2
H
5
OH
→
nSiH(OC
2
H
5
)
3
 + (1-n) Si(OC
2
H
5
)
4
 + (2-n) H
2
(1.1) 
бунда 
n
0 дан 1 гача қиймат қабул қилади. Триэтоксисилан 
SiH(OC
2
H
5
)
3
бўйича максимал селективлик 
n = 1
шарти бажарилганда эришилади ва 
(1.1) 
тенглама қўйидаги кўриниш олади:
Si + 3C
2
H
5
OH → SiH(OC
2
H
5
)
3
 + H
2

(1.2) 
15 

---

(1.1.) и
(1.2)
тенгламалар 
C
2
H
5
ни мос 
R 
радикалга алмаширилганда 
бошқа спиртлар учун ҳам ўринлидир, масалан, C
2
H
5
радикали CH
3
га 
алмаштирилса, қўйидаги тенгламалар ҳосил бўлади:
Si + (4 - n)CH
3
OH → nSiH(OCH
3
)
3
 + (1-n) Si(OCH
3
)
4
 + (2-n) H
2
(1.3) 
ва