|
Тадқиқот натижаларининг илмий ва амалий аҳамияти.
Тадқиқотлар натижаларнинг илмий аҳамияти гетероген катализида бир
хлорли мис ва каталитик диспропорциялашда этилат натрий
катализаторларинг таъсир механизмларини аниқлашда жамланган. Ишларни
бажариш даврида олинган билимлар синтезнинг физикавий
-
кимёвий
жараёнларини чуқурроқ тушуниш ва кимёвий реакцияларнинг керакли
йўналишда амалга ошиши учун оптимал шароитларни танлаб олиш
имконини яратади. Ионларнинг ўсиш сиртига таъсирининг аниқланган
механизмлари шаклланувчи структураларнинг бир мунча параметрларини
олдиндан аниқлаш имконини беради.
Тадқиқотлар натижаларининг амалий аҳамияти ишлаб чиқилган
поликристалл кремнийнинг моносиланли технологиясининг қўлланилиши
маҳсулот
таннархини
камайтириш
ва
унинг
дунё
бозорида
рақобатбардошлигини ошириш имконини бериши билан белгиланади.
Зарядланган зарралар оқимини ажратиш ва ўлчаш усули ва буни амалга
оширувчи ион зонди ҳам муҳим амалий аҳамиятга эга. Бу ион зонди ва
ишлаб чиқилган усулдан электрон нурли буғлатгичли юқори ёки ультра
юқори вакуум қурилмаларида фойдаланилганда уларнинг функционал
имкониятлари кенгаяди.
Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Поликристалл
кремний олишнинг моносиланли технологияси ҳамда кремнийли
структуралар
олишнинг
ионли стимуллашган усулларини яратиш
асосида:
металлургик кремний ва спиртларнинг бевосита реакциясига
асосланган алкоксисиланлар синтезининг яратилган янги технологияси учун
етти
давлатда 7 та ихтиро патентлари олинган: «Алкоксисиланлар олиш
усули»
(IAP05023, 31.03.2015, Ўзбекистон), «Method for preparing
trialkoxysilane»
(US9156861, October. 13, 2015,
АҚШ), «Method for preparing
trialkoxysilane»
(JP5836489, Dec. 24, 2015, Япония),
«Method for preparing
12
trialkoxysilane»
(EP2754664, July 16, 2014,
Европа иттифоқи), «Method fo
r
preparing trialkoxysilane»
(TW201339094, October 01, 2013
.
Тайван), «Method
for preparing trialkoxysilane»
(CN103797018, May 14, 2014,
ХХР),
KR101422080
«Method for preparing trialkoxysilane»
(KR101422080, July 16,
2014
,
Корея),
эритувчи суюқлик муҳитида
кремнийни майдалаш,
суспензиянинг
белгиланган миқдорини
узлуксиз равишда реакторга узатиш
ва
реактордан ортиқча эритувчи суюқликни
унда эриган кераксиз
киришмалар билан биргаликда
олиб чиқиш каби техник ечимларни
бирвақтда амалга ошириш металлургик кремний ва спиртнинг бевосита
реакциясининг индукцион даври йўқотиш, реакцион муҳитда кремний,
катализатор ва эритувчи миқдорини алкоксисиланлар синтезининг бутун
жараёни даврида бир текис ўзгармас ҳолда ушлаш ва реакцион муҳитнинг
фаоллигини сақлаш имконини яратади ва технологик жараённи бутунлай
узлуксиз режимда олиб боришни таъминлайди;
триалкоксисиланларни каталитик диспропорциялашга асосланган
моносилан синтезининг яратилган янги технологияси учун
етти
давлатда 7 та
ихтиро патентлари олинган: «Алкоксисиланлардан фойдаланиб моносилан
олиш усули»
(IAP05179, 31.03.2016), «A method for preparing monosilane by
using trialkoxysilane», (US9278864, March 8, 2016,
АҚШ), «A method for
preparing monosilane by using trialkoxysilane»
(JP2015535802, December 17,
2015
,
Япония), «A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane»
(EP
2905258
, August 12, 2015,
Европа Иттифоқи), «A method for preparing
monosilane by using trialkoxysilane»
(TW201425222, July 01, 2014, Тайван), «A
method for preparing monosilane by using
trialkoxysilane»
(CN
104797527
,
July
22, 2015,
ХХР),
«A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane»
(KR101532142,
June
26, 2015, Корея),
алкоксисиланлар синтези
маҳсулотларидан триалкоксисиланларни ажратиш, катализатор тайёрлаш,
реакциянинг мақсадли маҳсулотларини тозалаш бўйича таклиф қилинган
техник ечимлар қисқа технологик циклда триалкоксисилан ва
моносиланларни
чуқур тозалашни ва технологик жараённи узлуксиз режимда
ўтқазишни ва унинг юқори самарадорлигини таъминлайди;
зарядланган заррачаларнинг ажратиш ва уларнинг оқимларини
бошқариш учун яратилган
усул
ва қурилма
–
ион зонди
учун
«Зараядланган
зарралар оқимини ажратиш ва ўлчаш усули ва буни амалга оширувчи
қурилма»
ихтиро патенти
олинган
(IAP02958,
30.12.2005
, Ўзбекистон),
таклиф этилган техник ечимлар ёрдамида: ўсиш
вақтида кремний кристалл
панжарасида сурьма атомларининг
ионли стимуллашган жойлаштириш
эвазига легирлаш
даражасини оширилишига эришилган; кремний
-
германий
гетероструктура
-
ларидаги механик зўриқишлар
релаксациялашнинг ионли
стимуллашган усули ишлаб чиқилган; ионли стимуллашган молекуляр нурли
эпитаксия усулида кремний сиртидаги
германий нанооролчалар
массиви
шакллантирилиб,
уларнинг зичлигини ошириш
ва катталиги бўйича
тақсимоти фунциясининг торайишига
эришилган; вакуумда ионли
стимуллашган усулда
олинган кремнийнинг қатламли
p-n
структураларнинг
500К дан юқори ҳароратда термовольтаик хоссаларни намойиш қилиши
13
аниқланган; ионли стимуллашган буғдан физик ўстириш усулида иссиқлик
барьер қатламларини тагликка мослаштирувчи кимёвий яқинликли ва
градиент ўтишли оралиқ
қатламлари шакллантирилган;
поликристалл кремний олишнинг
моносиланли технологияси
ва
тажриба қурилмаси яратилиши
учун
Жанубий Кореянинг OCI
компанияси
томонидан
500
минг
АҚШ доллари миқдорида
чет эл инвестицияси
киритилган
(Ион
-
плазма ва лазер технологиялари институти ва OCI
компанияси ўртасида 2010 йил 17 августида тузилган шартноманинг
якунлангани тўғрисидаги
2012 йил 6 декабрида имзоланган акт)
.
Жаҳонда
поликремний ишлаб чиқарувчи етакчи
учлик таркибига кирувчи
компаниянинг янги ишланмага бўлган қизиқиши ишланманинг юқори
савиясини тасдиқлаш билан бир пайтда, жалб қилинган инвестиция
лабораторияда янги инновацион технологик қурилма яратиш ва
лабораторияни замонавий асбоб ускуналар билан жихозлаш имконини берди.
«Зарядланган зарралар оқимини ажратиш ва ўлчаш усули ва буни
амалга оширувчи қурилма»
IAP02958 ихтиро патентига лицензия бериш
тўғрисида
шартнома тузилган.
(Шартнома 01.04.2016 йил санасида №SIP
4/2016 рақами остида Интеллектуал мулк агентлигида рўйхатга
олинган,
«Расмий ахборотнома», №5, 2016й., 238б.)
.
Ушбу лицензион шартнома
ишланмани бевосита ишлаб чиқаришга жорий қилишга тайёрлаш, ҳамда
ишлаб чиқарилувчи юқори технологик маҳсулотни ички ва ташқи бозорда
сотиш имконини яратади.
Do'stlaringiz bilan baham: |
