Академия наук республики узбекистан

 
2.4
-
расм. 
Атомлар, 
электронлар 
ва 
ионларни мониторинг тизимида ажратиш 
схемаси.
Агар
хар бир электрон ва хар бир ион мос 
электродларга келиб тушиши фараз 
қилинса, ионлар ва электрон зичликлари 
электродлардаги 
I
i
ва
I
c
токлар, хамда 
мониторинг тизими корпуси аппертураси майдони орқали аниқланади. Ушбу 
мониторинг тизими таглик марказида унинг остки томонида ўрнатилди (2.3
-
расмга қаранг). Оқим манбаси ва таглик орасидаги эквипотенциал
сиртлар 
структурасини бузилишини
минималлаштириш учун
тезлатувчи кучланиш
мониторинг тизими корпусига ҳам уланади.
Таглик сиртига келиб тушувчи ионлар оқими зичлиги электрон 
буғлатгичда ҳосил бўлувчи ионлар интенсивлигига, манба зонасидаги 
ионларни тортиб олиш учун электр майдонининг экран аппертураси орқали 
28 

---

осилишига, ҳамда
U
sub
потенциали томонидан тортиб олинган ионлар 
оқимининг фокусланишига боғлиқ. Ионлар генерацияси зонаси эриган 
кремний устидаги буғланаётган кремний атомларининг электронлар билан 
тўқнашиши юз берувчи нисбатан кичик хажм билан чегараланган
(2.1
-
расм).
(
2.
1) формулага мувоффиқ ионлар
генерацияси
Fe
ва 
n
Si
катталикларга 
пропорциональ
. 
Ионлар генерацияси оддий модель ёрдамида ёзилиши 
мумкин. Моделда эриган кремнийнинг асосий юзаси 
А
ва электрон нур 
бурилишига боғлиқ бўлган баландлиги 
Н
билан аниқланувчи хажми
бир 
жинсли деб қабул қилинади. 
I
ESV
эмиссия токи учун қўйидаги ифода 
ўринлидир:
I
ESV
=
A
·
F
e
·
q 
(
2.
2)
Ишлаб чиқилган ионлар мониторинг тизими ионлар ва электронлар 
зичлигини ўлчаш учун МНЭ қурилмасига таглик маркази остига ўрнатилди. 
Кремний 
R
ўсиш тезлигининг 
I
ESV
эмиссион токка боғлиқлиги характери 
аниқланди. 
I
sub
ток
таглик контакти орқали ўлчанади ва таглик бутун сирти 
бўйича зарядланган заррачаларнинг ўртача зичлиги тўғрисида маълумот 
беради ва бунда кутилаётганидек, электрон буғлатгичдан учиб чиқаётган 
электронларнинг доминацияси кузатилади. Электрон токи зичлигининг 
I
ESV
эмиссия токига мониторинг тизими ёрдамида исботган чизиқли боғлиқлиги 
ионлар ҳиссасини 
I
sub
таглик токидан ажратиш имконини беради. 
I
ion
ионлар 
токининг ўртача зичлигининг эмиссия токи ва ўсиш тезлиги кўпайтмаси 
кўринишидаги 
I
ESV
·
R
катталикка боғлиқлиги чизиқлига
яқин характерга эга, 
аммо марказда ўлчаган 
i
ion
ион токи зичлиги анчагина мураккаб боғлиқликни 
кўрсатди.
I
ion
 / i
ion
нисбат ион оқимининг таглик марказида ёки ундан ташқарида 
жойлашган нуқтада фокусланишини баҳолаш мезони бўлиб хизмат қилади. 
Фокусировка характери мониторинг тизимининг стационар маҳкамланган 
ҳолатида тушунарсиз қолади, фокусировкани характерини аниқлаш учун ион 
монитори силжитиш системасига ўрнатилиши лозим.
Чизиқли силжувчи ион зонди.

2.5-
расмда МНЭнинг ионлар тақсимотига таъсир кўрсатувчи 
субсистемалари акс эттирилган. Камера ўқида 100мм диаметрли кремний 
пластинаси жойлаштирилган. У 150 мм диаметрли кремнийдан тайёрланган 
таглик ушловчига ўрнатилган. Ундан пастроқда радиацион нурланиш 
ёрдамида қиздирилувчи таглик ҳароратининг бир жинслигини яхшиловчи 
кремнийдан тайёрланган халқа ўрнатилган. Ушбу учала қисм ҳам қурилма 
корпусидан изоляцияланган бўлиб, уларга 
0 
ва
-1000 
В оралиғидаги 
потенциал узатилиши мумкин.
Таклик сиртидан тахминан 5 см пастроқда 
махсус фланец орқали бошқарилувчи чизиқли силжувчи ион зонди 
ўрнатилган. Зонд таглик сиртига перпендикуляр йўналишда харакатланади.
29 

---

Молекуляр оқим манбалари МНЭ 
қурилмаси 
остки 
қисмида 
алоҳида фланецларда ўрнатилган. 
Кўрсатилган кремний буғлатувчи 
электрон пушка ер потенциалига 
уланган иссиқлик экрани билан 
ўралган.
Экран апертураси кремнийнинг 
нейтрал 
ва 
ионлашган 
оқимларини чиқариб олиш имконини беради.
Оқимнинг камера ўқидан 
силжиши 70 ммни ташкил 
қилади. 
2.
6
-
расмда 
тагликка
нисбатан ҳаракатчан ҳолатдаги
ион зонди ёрдамида ион оқими 
зичлигини ўрганиш натижалари 
намойиш қилинган
.