‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev


Bipolyar tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalarni



Download 0,72 Mb.
bet112/276
Sana20.06.2023
Hajmi0,72 Mb.
#952614
1   ...   108   109   110   111   112   113   114   115   ...   276
Bog'liq
‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X.

7.3. Bipolyar tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalarni
tayyorlash
BTli IM S la r e lem e n tla ri (tra n z is to rla r, d io d la r, re z isto rla r,
kondensatorlar) asosini n+ - p — n tuzilm a tashkil etadi.
IM S tayyorlash uchun planar, planarepitaksial texnologiyalardan
foydalaniladi. P lanar texnologiyada elem entlar p — yoki nturli
yarim o'tkazgich asosda hosil qilinadi. Planar-epitaksial texnologiyasida
elem entlar asos sirtiga o'stirilgan epitaksial qatlam da hosil qilinadi.
Texnologiya asosni (epitaksial qatlam ni) navbatm a-navbat d onor
va akseptor kiritm alar bilan legirlashga asoslanadi, natijada sirt tagida
turli o ‘tkazuvchanlikka ega yupqa qatlam lar va qatlam lar chegarasida
p —n o ‘tishlar hosil b o ‘ladi. A lohida qatlam lar rezistorlar sifatida, p —
n o 'tis h la r esa diod va tran z isto r tu zilm a lari sifatida ishlatiladi.
K ondensatorlar sifatida teskari siljitilgan p —n o ‘tishIar xizm at qiladi.
Integral rezistorlar. Integral rezistorlar tranzistorlarning baza yoki
em itter sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi.
Rezistor qarshiligi berk holatdagi p —n o ‘tish chegarasi bilan cheklangan
qatlam ning hajm iy qarshiligidan iborat b o ‘ladi.
E m itter soha asosida qarshiligi 3-MOO O m b o ‘lgan kichik qarshilikli
rezisto rlar hosil q ilin ad i, chunki e m itte r q atlam n in g so lish tirm a
qarshiligi kichik b o ‘ladi.
K atta qarshilikli rezistorlar nisbatan katta solishtirm a qarshilikka
ega baza qatlam da tayyorlanadi. B unday rezistorlarning m aksim al
qarshiligi 200-^300 kO m bo‘ladi.
Integral kondensatorlar. Integral kondensatorlar hosil qilish uchun
ixtiyoriy p —n o ‘tish: kollektor — asos, baza — kollektor, em itter —
baza, yashirin n+ — qatlam — izolatsiyalovchi p — soha ishlatilishi
m um kin. Teskari siljitilgan p -n o ‘tishning b arer sig‘imi berilayotgan
kuchlanishga bog‘liq b o ‘ladi. K o‘p hollarda kollektor o 'tish sig‘imi
ishlatiladi.www.ziyouz.com
kutubxonasi

Download 0,72 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   108   109   110   111   112   113   114   115   ...   276




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish