‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

Termik oksidlash. T erm ik oksidlash — krem niy sirtida oksid (SiO,)
qatlam (parda) hosil qilish m aqsadida su n ’iy yo‘l bilan oksidlashdan
iborat jarayon. U yuqori (1000-^1200) °C tem peraturalarda kechadi.
IM Slar tayyorlashda SiO, qatlam bir necha m uhim funksiyalarni
bajaradi: sirtni him oyalovchi qatlam ; niqob vazifasini bajarib, undagi
tirqishdan zarur kiritm alar kiritiladi; M D Y — tranzistorlarda zatvor
ostidagi yupqa dielektrik qatlam sifatida ishlaydi.
Legirlash. Y arim o‘tkazgich hajmiga kiritm alarni kiritish jarayoni
legirlash deb ataladi. IM Slar tayyorlashda legirlash sxem aning aktiv
va passiv elem entlarini hosil qilish uchun, zarur o ‘tkazuvchanlikni
t a ’m in la sh u c h u n kerak. L eg irlash n in g aso siy u su llari y u q o ri
tem peraturalarda kiritm alar atom larini diffuziyalash va yuqori energiyali
ionlar bilan bom bardim on qilish (ionlarni kristall panjaraga kiritish)
dan iborat.
Diffuziya yordamida legirlash butun kristall yuzasi b o ‘ylab yoki
niqobdagi tirqishlar orqali m a’lum sohalarda (lokal) am alga oshiriladi.
Ion legirlash yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritm a ionlarini
niqobdagi tirqishlar orqali kristalga kiritish bilan am alga oshiriladi.
Ion legirlash universalligi va oson amalga oshirilishi bilan xarakterlanadi.
Io n lar tokini o 'z g artirib legirlovchi k iritm alar konsentratsiyasini,
energiyasini o ‘zgartirib esa — legirlash chuqurligini boshqarish m um kin.
Yemirish. Y arim o ‘tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa
birikmalami kimyoviy m oddalar ham da ulaming aralashmalari yordamida
eritib tozalash jarayoniga yemirish deyiladi. Yemirish yarim o‘tkazgich
sirtini tozalash, oksid qatlam da “darcha”lar ochish va turli ko‘rinishga
ega b o 'lg a n “ c h u q u r c h a la r ” h o sil q ilish u c h u n q o 'lla n ila d i.
Y arim o‘tkazgich sirtini tozalash va “darcha”lar hosil qilish uchun izotrop
yemirishdan foydalaniladi, bunda yarim o'tkazgich barcha kristalografik
yo'nalishlar bo'ylab bir xil tezlikda eritiladi. Ba’zan yarim o'tkazgichni
turli kristalografik yo'nalishlar bo‘ylab turli tezlikda eritish va natijada
turli ko'rinishga ega bo'lgan “chuqurcha”lar hosil qilish zarur bo'ladi.www.ziyouz.com
kutubxonasi