Reja: Bipolar tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash

А)


B)

D)

E)

F)

G)

7.1-rasm. Fotolitografiya jarayonining ketma -ketligi.


II. ASOSIY QISM
Bipolar tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash

BTli IMSlar elementlari (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar) asosini n - p - n tuzilma tashkil etadi.IMS tayyorlash uchun planar, planar - epitaksial texnologiya-lardan foydalaniladi. Planar texnologiyada elementlar p - yoki n — turli yarimo‘tkazgich asosda hosil qilinadi. Planar - epitaksial texnologiyasida elementlar asos sirtiga o'stirilgan epitaksial qatlamda hosil qilinadi.
Texnologiya asosni (epitaksial qatlamni) navbatma - navbat donor va akseptor kiritmalar bilan legirlashga asoslanadi, natijada sirt tagida turli о‘tkazuvchanlikka ega yupqa qatlamlar va qatlamlar chegarasida p-n o‘tishlar hosil bo'Iadi. Alohida qatlamlar rezistorlar sifatida, p-n o‘tishlar esa diod va tranzistor tuzilmalari sifatida ishlatiladi. Kondensatorlar sifatida teskari siljitilganp-n o‘tishlar xizmat qiladi.
Integral rezistorlar. Integral rezistorlar tranzistorlarning baza yoki
emitter sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi. Rezistor qarshiligi berk holatdagi p-n o‘tish chegarasi bilan cheklangan qatlamning hajmiy qarshiligidan iborat bo‘ladi.
Emitter soha asosida qarshiligi 3-100 Om bo‘Igan kichik qarshilikli rezistorlar hosil qilinadi, chunki emitter qatlamning solishtirma qarshiligi kichik bo‘ladi.
Katta qarshilikli rezistorlar nisbatan katta solishtirma qarshilikka ega baza qatlamda tayyorlanadi. Bunday rezistorlaming maksimal qarshiligi 200-K300 kOm bo‘ladi.